時間：2025/5/20 9:01:21
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IGW75N60T是一款高壓MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動、逆變器等功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝，具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開關(guān)速度，能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率。
該型號中的“75”代表其最大漏源極電壓為75V，“N”表示這是一款N溝道MOSFET，“60”則通常與電流或功率參數(shù)相關(guān)聯(lián)。它適合在高頻開關(guān)條件下使用，并且具備良好的熱性能和可靠性。
最大漏源極電壓：75V
最大連續(xù)漏極電流：60A
導(dǎo)通電阻：3.5mΩ
柵極電荷：120nC
輸入電容：3200pF
工作溫度范圍：-55℃至+175℃
封裝形式：TO-247
IGW75N60T的主要特性包括：
1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），可顯著減少傳導(dǎo)損耗。
2. 高效的開關(guān)性能，適用于高頻應(yīng)用環(huán)境。
3. 強大的雪崩能力，提高了器件在異常條件下的魯棒性。
4. 良好的熱穩(wěn)定性和耐熱循環(huán)能力。
5. 緊湊型封裝設(shè)計，便于安裝和散熱管理。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無鉛材料。
這款MOSFET非常適合以下應(yīng)用場景：
1. 開關(guān)模式電源（SMPS）中的主開關(guān)或同步整流元件。
2. 工業(yè)設(shè)備中的電機控制和驅(qū)動電路。
3. 太陽能逆變器和其他可再生能源系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
4. 電動車及混合動力車的動力電子系統(tǒng)。
5. 各類負(fù)載切換和保護(hù)電路，如過流保護(hù)、短路保護(hù)等。
IGW75N60H
IRF7560
FDP068N07L
