IKW20N60T 是一款由 Infineon(英飛凌)生�(chǎn)� N 溝道功率 MOSFET。該器件采用 TO-252 封裝形式,適合于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)�。其額定電壓� 600V,連續(xù)漏極電流可達(dá) 20A,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)�(guān)速度,能夠在高頻�(kāi)�(guān)條件下實(shí)�(xiàn)高效性能�
IKW20N60T 在設(shè)�(jì)上采用了先�(jìn)� Trench 技�(shù),從而優(yōu)化了�(dǎo)通損耗和�(kāi)�(guān)損耗之間的平衡。這使其非常適合需要高效率和可靠性的電力電子�(yīng)��
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�20A
�(dǎo)通電阻:1.3Ω(典型值)
柵極電荷�34nC(典型值)
輸入電容�1700pF(典型值)
反向恢復(fù)�(shí)間:95ns(典型值)
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
封裝形式:TO-252
IKW20N60T 具有以下顯著特性:
1. 高耐壓能力,支持高�(dá) 600V 的漏源電�,確保在高壓�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
2. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高整體效率�
3. 快速開(kāi)�(guān)性能,通過(guò)減少�(kāi)�(guān)損耗來(lái)提升系統(tǒng)的能效�
4. �(yōu)化的熱性能�(shè)�(jì),能夠有效管理熱量以保證�(zhǎng)期可靠性�
5. 提供卓越的雪崩能力和魯棒�,適�(yīng)�(yán)苛的工作條件�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子產(chǎn)品中�
IKW20N60T 廣泛�(yīng)用于各種電力電子�(lǐng)域,包括但不限于以下�(chǎng)景:
1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS),如適配器、充電器��
2. 工業(yè)�(shè)備中� DC-DC �(zhuǎn)換器�
3. 家用電器的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
4. LED 照明�(qū)�(dòng)��
5. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的保護(hù)電路�
6. 可再生能源系�(tǒng)中的逆變器模��
IKW20N60E, IRFP460, STP20NF60