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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IKW20N60T

IKW20N60T 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/29 1:55:52 查看 閱讀�9

IKW20N60T 是一款由 Infineon(英飛凌)生�(chǎn)� N 溝道功率 MOSFET。該器件采用 TO-252 封裝形式,適合于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)�。其額定電壓� 600V,連續(xù)漏極電流可達(dá) 20A,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)�(guān)速度,能夠在高頻�(kāi)�(guān)條件下實(shí)�(xiàn)高效性能�
  IKW20N60T 在設(shè)�(jì)上采用了先�(jìn)� Trench 技�(shù),從而優(yōu)化了�(dǎo)通損耗和�(kāi)�(guān)損耗之間的平衡。這使其非常適合需要高效率和可靠性的電力電子�(yīng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�20A
  �(dǎo)通電阻:1.3Ω(典型值)
  柵極電荷�34nC(典型值)
  輸入電容�1700pF(典型值)
  反向恢復(fù)�(shí)間:95ns(典型值)
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
  封裝形式:TO-252

特�

IKW20N60T 具有以下顯著特性:
  1. 高耐壓能力,支持高�(dá) 600V 的漏源電�,確保在高壓�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  2. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高整體效率�
  3. 快速開(kāi)�(guān)性能,通過(guò)減少�(kāi)�(guān)損耗來(lái)提升系統(tǒng)的能效�
  4. �(yōu)化的熱性能�(shè)�(jì),能夠有效管理熱量以保證�(zhǎng)期可靠性�
  5. 提供卓越的雪崩能力和魯棒�,適�(yīng)�(yán)苛的工作條件�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子產(chǎn)品中�

�(yīng)�

IKW20N60T 廣泛�(yīng)用于各種電力電子�(lǐng)域,包括但不限于以下�(chǎng)景:
  1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS),如適配器、充電器��
  2. 工業(yè)�(shè)備中� DC-DC �(zhuǎn)換器�
  3. 家用電器的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
  4. LED 照明�(qū)�(dòng)��
  5. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的保護(hù)電路�
  6. 可再生能源系�(tǒng)中的逆變器模��

替代型號(hào)

IKW20N60E, IRFP460, STP20NF60

ikw20n60t推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

ikw20n60t資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

ikw20n60t參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IKW20N60T
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝240
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭IGBT - 單路
  • 系列TrenchStop™
  • IGBT �(lèi)�溝道和場(chǎng)截止
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)600V
  • Vge, Ic�(shí)的最大Vce(開(kāi)�2.05V @ 15V�20A
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)40A
  • 功率 - 最�166W
  • 輸入�(lèi)��(biāo)�(zhǔn)�
  • 安裝�(lèi)�通孔
  • 封裝/外殼TO-247-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TO247-3
  • 包裝管件
  • 其它名稱(chēng)SP000054886