IKW20N60T 是一款由 Infineon(英飛凌)生產(chǎn)的 N 溝道功率 MOSFET。該器件采用 TO-252 封裝形式,適合于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。其額定電壓為 600V,連續(xù)漏極電流可達(dá) 20A,具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)關(guān)速度,能夠在高頻開(kāi)關(guān)條件下實(shí)現(xiàn)高效性能。
IKW20N60T 在設(shè)計(jì)上采用了先進(jìn)的 Trench 技術(shù),從而優(yōu)化了導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗之間的平衡。這使其非常適合需要高效率和可靠性的電力電子應(yīng)用。
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流:20A
導(dǎo)通電阻:1.3Ω(典型值)
柵極電荷:34nC(典型值)
輸入電容:1700pF(典型值)
反向恢復(fù)時(shí)間:95ns(典型值)
工作結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +175℃
封裝形式:TO-252
IKW20N60T 具有以下顯著特性:
1. 高耐壓能力,支持高達(dá) 600V 的漏源電壓,確保在高壓環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
2. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高整體效率。
3. 快速開(kāi)關(guān)性能,通過(guò)減少開(kāi)關(guān)損耗來(lái)提升系統(tǒng)的能效。
4. 優(yōu)化的熱性能設(shè)計(jì),能夠有效管理熱量以保證長(zhǎng)期可靠性。
5. 提供卓越的雪崩能力和魯棒性,適應(yīng)嚴(yán)苛的工作條件。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子產(chǎn)品中。
IKW20N60T 廣泛應(yīng)用于各種電力電子領(lǐng)域,包括但不限于以下場(chǎng)景:
1. 開(kāi)關(guān)電源 (SMPS),如適配器、充電器等。
2. 工業(yè)設(shè)備中的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
3. 家用電器的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。
4. LED 照明驅(qū)動(dòng)器。
5. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的保護(hù)電路。
6. 可再生能源系統(tǒng)中的逆變器模塊。
IKW20N60E, IRFP460, STP20NF60