IKW30N65ES5 是英飛凌(Infineon)推出的一� N 灃道開關(guān) MOSFET,采� SuperSO8 封裝。該器件具有低導通電�、高擊穿電壓和快速開�(guān)速度等特�,適用于高頻開關(guān)電源、電機驅(qū)�、DC-DC �(zhuǎn)換器以及工業(yè)控制等應用領(lǐng)��
� MOSFET 集成了先進的溝槽式技�(shù),能夠顯著降低傳導損耗和開關(guān)損�,從而提高整體系�(tǒng)效率。其出色的熱性能和電氣性能使其成為高效能功率轉(zhuǎn)換的理想選擇�
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�30A
導通電阻:150mΩ
柵極電荷�45nC
開關(guān)頻率:高� 1MHz
封裝類型:SuperSO8
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
IKW30N65ES5 的主要特性包括:
1. 高擊穿電� (650V),確保在高壓�(huán)境下的穩(wěn)定運��
2. 極低的導通電� (150mΩ),有助于減少傳導損耗并提高效率�
3. 快速開�(guān)能力,適合高頻應��
4. 出色的熱�(wěn)定性,能夠在高溫環(huán)境下長期可靠工作�
5. �(nèi)置反向恢復二極管功能,優(yōu)化了開關(guān)性能�
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且安全�
� MOSFET 廣泛應用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 工業(yè)電機�(qū)動和逆變器�
3. 太陽能微逆變器和儲能系統(tǒng)�
4. 電動汽車充電設備�
5. 各種高頻功率�(zhuǎn)換電��
由于其卓越的性能,IKW30N65ES5 成為眾多功率電子設計中的首選元件�
IKW40N65ES5, IRFP460, STW92N65M2