時間：2025/5/27 9:43:32
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IKW30N65ES5 是英飛凌（Infineon）推出的一款 N 灃道開關(guān) MOSFET，采用 SuperSO8 封裝。該器件具有低導通電阻、高擊穿電壓和快速開關(guān)速度等特性，適用于高頻開關(guān)電源、電機驅(qū)動、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及工業(yè)控制等應用領(lǐng)域。
該 MOSFET 集成了先進的溝槽式技術(shù)，能夠顯著降低傳導損耗和開關(guān)損耗，從而提高整體系統(tǒng)效率。其出色的熱性能和電氣性能使其成為高效能功率轉(zhuǎn)換的理想選擇。
最大漏源電壓：650V
連續(xù)漏極電流：30A
導通電阻：150mΩ
柵極電荷：45nC
開關(guān)頻率：高達 1MHz
封裝類型：SuperSO8
工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C
IKW30N65ES5 的主要特性包括：
1. 高擊穿電壓 (650V)，確保在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定運行。
2. 極低的導通電阻 (150mΩ)，有助于減少傳導損耗并提高效率。
3. 快速開關(guān)能力，適合高頻應用。
4. 出色的熱穩(wěn)定性，能夠在高溫環(huán)境下長期可靠工作。
5. 內(nèi)置反向恢復二極管功能，優(yōu)化了開關(guān)性能。
6. 符合 RoHS 標準，環(huán)保且安全。
該 MOSFET 廣泛應用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
2. 工業(yè)電機驅(qū)動和逆變器。
3. 太陽能微逆變器和儲能系統(tǒng)。
4. 電動汽車充電設備。
5. 各種高頻功率轉(zhuǎn)換電路。
由于其卓越的性能，IKW30N65ES5 成為眾多功率電子設計中的首選元件。
IKW40N65ES5, IRFP460, STW92N65M2
