IKW50N60H3 是一款由 Infineon(英飛凌)生�(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用 TO-247 封裝,具有高擊穿電壓、低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適用于工業(yè)、汽�(chē)和消�(fèi)電子�(lǐng)域中的各種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。其典型�(yīng)用場(chǎng)景包� DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)器和�(kāi)�(guān)電源等�
� MOSFET 的設(shè)�(jì)注重高效能表�(xiàn),能夠在高頻�(kāi)�(guān)條件下提供出色的性能和可靠��
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�50A
�(dǎo)通電阻:0.18Ω
柵極電荷�49nC
�(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=98ns, toff=76ns
功耗:350W
工作溫度范圍�-55� � 175�
IKW50N60H3 具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 高耐壓能力�600V 的漏源電壓使其能夠適�(yīng)高壓�(yīng)用環(huán)��
2. 低導(dǎo)通電阻:僅為 0.18Ω,有助于降低�(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率�
3. 快速開(kāi)�(guān)性能:極小的柵極電荷�49nC)確保了快速的�(kāi)�(guān)速度,減少開(kāi)�(guān)損��
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):能夠在高達(dá) 175� 的結(jié)溫下正常工作,適用于高溫工況�
5. 高電流承載能力:50A 的連續(xù)漏極電流可滿足大功率�(yīng)用需求�
6. 小尺寸封裝:TO-247 封裝既保證散熱性能又節(jié)省空��
IKW50N60H3 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 工業(yè)�(shè)備中的開(kāi)�(guān)電源和逆變��
2. 汽車(chē)電子中的�(fù)載切換和電機(jī)控制�
3. 消費(fèi)電子�(chǎn)品中� DC-DC �(zhuǎn)換器和適配器�
4. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(shè)��
5. 各種需要高性能功率管理的場(chǎng)景,例如不間斷電� (UPS) 和電池管理系�(tǒng) (BMS)�
IKW50N60E3, IRFP460, STW11NM60