IKW50N65ES5 是一款由英飛凌(Infineon)生產的MOSFET芯片,屬于CoolMOS?系列。該器件采用了先進的超結技�,能夠顯著降低導通和開關損耗,從而提升效率并適用于高功率密度的應用場��
這款MOSFET設計為N溝道增強�,額定電壓為650V,最大連續(xù)漏極電流可達50A。其出色的性能使其非常適合用于開關電源、DC-DC轉換�、電機驅動以及工�(yè)應用等領��
最大漏源電壓:650V
最大連續(xù)漏極電流�50A
導通電阻(RDS(on)):120mΩ(典型�,VGS=10V�
柵極電荷�78nC(典型值)
輸入電容�2040pF(典型值)
總功耗:325W
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
IKW50N65ES5 的主要特性包括:
1. 超低的導通電�,可有效減少傳導損耗,提高系統(tǒng)效率�
2. 柵極電荷較低,有助于降低開關損��
3. 內置反向恢復二極管,具備快速恢復時�,減少能量損��
4. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛封��
5. 高雪崩能力,增強了在異常情況下的魯棒��
6. 封裝形式為TO-247-3,便于散熱管��
IKW50N65ES5 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS�,如適配�、充電器��
2. DC-DC轉換�,例如電信電源和服務器電��
3. 電機驅動電路,特別是大功率電機控��
4. 太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)中的功率轉換模塊�
5. 工業(yè)自動化設備中的高頻功率開關組��
6. 電動車及混合動力車相關的電力電子系統(tǒng)�
IKW50N65E5, IPP50N250P5, IRFP260N