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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IKW75N65ES5

IKW75N65ES5 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 17:05:31 查看 閱讀�25

IKW75N65ES5是英飛凌(Infineon)推出的增強(qiáng)型N溝道功率MOSFET,采用TRENCHSTOP?技�(shù)制�。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于高頻開關(guān)�(yīng)用和高效能功率轉(zhuǎn)換場�。其封裝形式為TO-247-3,適合大功率場合下的散熱需��
  該MOSFET的最大漏源電壓為650V,能夠承受較高的反向電壓,非常適合用于工�(yè)電源、太陽能逆變�、不間斷電源(UPS)、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各類開關(guān)模式電源(SMPS��

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�75A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�80mΩ
  柵極電荷(Qg):95nC
  輸入電容(Ciss):3050pF
  總功耗:315W
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
  封裝形式:TO-247-3

特�

IKW75N65ES5基于先�(jìn)的TRENCHSTOP? IGBT技�(shù)平臺,具備以下顯著特�(diǎn)�
  1. 超低�(dǎo)通電阻與出色的開�(guān)性能相結(jié)�,可有效降低功率損耗�
  2. 支持高達(dá)175℃的�(jié)溫操�,確保在極端條件下的可靠性和耐用性�
  3. 快速開�(guān)能力使其非常適合高頻�(yīng)用環(huán)��
  4. �(nèi)置優(yōu)化的雪崩能量性能,提升了對瞬�(tài)電壓的耐受能力�
  5. 高電流承載能力使其成為大功率�(yīng)用的理想選擇�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代設(shè)�(jì)��

�(yīng)�

IKW75N65ES5廣泛�(yīng)用于多種功率�(zhuǎn)換和控制�(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率因�(shù)校正(PFC)電��
  2. 工業(yè)級電�(jī)�(qū)�(dòng)系統(tǒng),例如伺服電�(jī)和變頻器�
  3. 太陽能光伏逆變器的核心功率�(zhuǎn)換模塊�
  4. 不間斷電源(UPS)設(shè)備中的DC-AC逆變功能�
  5. 各類大功率負(fù)載的開關(guān)控制和調(diào)節(jié)�
  6. 能量存儲系統(tǒng)的充放電管理電路�

替代型號

IKW80N65ES5
  IKW60N65ES5
  IRFP260N
  FDP077N06L

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