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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IMP11T110

IMP11T110 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/25 18:13:44 查看 閱讀�35

IMP11T110 是一款高性能� N 沃特功率 MOSFET 芯片,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)� DC-DC �(zhuǎn)換等�(yīng)�。該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠在高頻開關(guān)條件下提供優(yōu)異的性能表現(xiàn)�
  這款芯片適用于各種工�(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率管理場(chǎng)�,其卓越的熱特性和電氣性能使其成為許多�(shè)�(jì)工程師的理想選擇�

參數(shù)

型號(hào):IMP11T110
  類型:N 沃特 MOSFET
  VDS(漏源電壓)�110V
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�35mΩ(典型�,在 VGS=10V �(shí)�
  ID(連續(xù)漏極電流):24A
  封裝形式:TO-220
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  柵極電荷�16nC(典型值)
  反向恢復(fù)�(shí)間:45ns(最大值)

特�

IMP11T110 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (RDS(on)),可顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)能力,支持高頻操�,適合現(xiàn)代高效電源設(shè)�(jì)�
  3. �(qiáng)大的散熱性能,能夠承受較高的�(jié)�,確保在極端條件下的可靠��
  4. 具備良好的抗靜電能力 (ESD),提高了�(chǎn)品的耐用��
  5. 封裝形式�(jiān)固耐用,便于安裝和維護(hù),廣泛應(yīng)用于各類功率�(zhuǎn)換設(shè)��
  6. 支持大電流輸�,滿足多種高功率�(yīng)用場(chǎng)景的需��

�(yīng)�

IMP11T110 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流或控制開�(guān)�
  3. 各種電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,例如步�(jìn)電機(jī)、無刷直流電�(jī)等�
  4. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的保護(hù)開關(guān)�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊�
  6. LED �(qū)�(dòng)器和其他需要高效功率管理的�(chǎng)��

替代型號(hào)

IRFZ44N
  STP24NF110
  FDP15U110AN

imp11t110推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

imp11t110資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
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imp11t110參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊Diodes Overview
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭二極�,整流器 - 陣列
  • 系列-
  • 電壓 - � If �(shí)為正� (Vf)(最大)1.2V @ 100mA
  • 電流 - � Vr �(shí)反向漏電100nA @ 70V
  • 電流 - 平均整流 (Io)(每�(gè)二極管)100mA
  • 電壓 - (Vr)(最大)80V
  • 反向恢復(fù)�(shí)�(trr)4ns
  • 二極管類��(biāo)�(zhǔn)
  • 速度小信�(hào) =
  • 二極管配�2 �(duì)共陽�
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SC-74,SOT-457
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�6-SMD
  • 包裝帶卷 (TR)