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IMT3AT108 發(fā)布時間 時間�2023/3/10 14:45:46 查看 閱讀�396

    類別:分離式半導體產(chǎn)�

    家庭:晶體管(BJT) - 陣列

    系列�-

 

目錄

概述

    類別:分離式半導體產(chǎn)�

    家庭:晶體管(BJT) - 陣列

    系列�-

    晶體管類型:2 PNP(雙�

    電流 - 集電� (Ic)(最大)�150mA

    電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)�50V

    Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)�500mV @ 5mA, 50mA

    電流 - 集電極截止(最大)�-

    在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)�120 @ 1mA, 6V

    功率 - 最大:300mW

    頻率 - �(zhuǎn)換:140MHz

    安裝類型:表面貼�

    封裝/外殼:SC-74-6

    包裝:帶� (TR)

    供應商設(shè)備封裝:*


資料

廠商
ROHM Semiconductor

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  • �(chǎn)品型�
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imt3at108參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 陣列
  • 系列-
  • 晶體管類�2 PNP(雙�
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)150mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)50V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)500mV @ 5mA�50mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)120 @ 1mA�6V
  • 功率 - 最�300mW
  • 頻率 - �(zhuǎn)�140MHz
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SC-74,SOT-457
  • 供應商設(shè)備封�SMT6
  • 包裝帶卷 (TR)