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IMW120R090M1HXKSA1 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/15 13:51:57 查看 閱讀:20

IMW120R090M1HXKSA1 是一款由 Infineon(英飛凌)生產(chǎn)的 MOSFET 芯片,屬于 OptiMOS 系列。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高效率的特性,適用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用場景。
  該器件采用了 TO-Leadless 封裝技術(shù),具有良好的散熱性能和緊湊的設(shè)計(jì),適合高密度電路板布局。

參數(shù)

最大漏源電壓:90V
  連續(xù)漏極電流:120A
  導(dǎo)通電阻:0.55mΩ
  柵極電荷:75nC
  總電容:3400pF
  工作溫度范圍:-55℃ to 175℃

特性

IMW120R090M1HXKSA1 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),能夠在高電流應(yīng)用中減少功率損耗,提高系統(tǒng)效率。
  2. 高雪崩能力,確保在過壓條件下具備更高的可靠性。
  3. 快速開關(guān)速度,減少了開關(guān)損耗,非常適合高頻應(yīng)用。
  4. TO-Leadless 封裝提供出色的熱性能和電氣性能。
  5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且無鹵素。
  6. 工作溫度范圍寬廣,適應(yīng)惡劣的工作環(huán)境。
  這些特性使得該器件在工業(yè)控制、汽車電子以及消費(fèi)類電子產(chǎn)品中有廣泛應(yīng)用。

應(yīng)用

IMW120R090M1HXKSA1 可用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和適配器設(shè)計(jì)。
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器,尤其是需要高效能和高電流輸出的應(yīng)用。
  3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和逆變器設(shè)計(jì)。
  4. 汽車電子系統(tǒng)中的負(fù)載切換和電池管理。
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。
  由于其高性能和可靠性,該器件是許多高要求應(yīng)用的理想選擇。

替代型號(hào)

IMW100R085M1H, IRFH7210TRPBF

imw120r090m1hxksa1推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

imw120r090m1hxksa1參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量4現(xiàn)貨
  • 價(jià)格1 : ¥97.94000管件
  • 系列CoolSiC?
  • 包裝管件
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技術(shù)SiCFET(碳化硅)
  • 漏源電壓(Vdss)1200 V
  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)26A(Tc)
  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)15V,18V
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值)117 毫歐 @ 8.5A,18V
  • 不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值)5.7V @ 3.7mA
  • 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)21 nC @ 18 V
  • Vgs(最大值)+23V,-7V
  • 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)707 pF @ 800 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)115W(Tc)
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型通孔
  • 供應(yīng)商器件封裝PG-TO247-3-41
  • 封裝/外殼TO-247-3