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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > IMW65R048M1HXKSA1

IMW65R048M1HXKSA1 發(fā)布時間 時間�2025/5/9 9:33:30 查看 閱讀�20

IMW65R048M1HXKSA1 是一款由知名半導體制造商 Infineon(英飛凌)生產的 MOSFET(金屬氧化物場效應晶體管)。該型號屬于 OptiMOS 系列,具有低導通電阻和高開關效率的特點。其設計適用于工�(yè)、汽車和消費電子領域中的功率轉換應用。這款 MOSFET 采用 TO-Leadless 封裝形式,具備出色的熱性能和電氣性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:65V
  最大連續(xù)漏電流:48A
  導通電阻(典型值)�1.2mΩ
  柵極電荷�93nC
  開關速度:快�
  封裝類型:TO-Leadless (H7x7)
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

IMW65R048M1HXKSA1 的主要特點是低導通電阻和高效�。其導通電阻僅� 1.2mΩ,能夠顯著降低功率損�,從而提高系�(tǒng)的整體效�。此外,該器件的柵極電荷較小,有助于實現(xiàn)更快的開關速度,進一步減少開關損��
  � MOSFET 采用了先進的制造工藝,確保了在高電流和高電壓條件下的穩(wěn)定運�。同時,TO-Leadless 封裝形式不僅提高了散熱性能,還減少了寄生電感的影響,非常適合高頻開關應��
  此外,該器件的工作溫度范圍寬廣,能夠適應極端�(huán)境條�,適合工�(yè)和汽車領域的嚴苛應用場景�

應用

IMW65R048M1HXKSA1 廣泛應用于各種高功率密度的場景中,包括但不限于以下領域:
  - 開關電源 (SMPS) � DC/DC 轉換�
  - 電機驅動和逆變�
  - 太陽能逆變�
  - 電動車和混合動力車中的牽引逆變�
  - 工業(yè)自動化設備中的功率控制模�
  由于其高效的性能和可靠�,該器件特別適合需要高效率和高功率密度的設��

替代型號

IMW65R048M1HXA1, IRFH7272TRPBF, FDP8631

imw65r048m1hxksa1推薦供應� 更多>

  • 產品型號
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

imw65r048m1hxksa1參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�1,517�(xiàn)�
  • 價格1 : �128.31000管件
  • 系列CoolSIC? M1
  • 包裝管件
  • 產品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�SiCFET(碳化硅�
  • 漏源電壓(Vdss�650 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)39A(Tc�
  • 驅動電壓(最� Rds On,最� Rds On�18V
  • 不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)64 毫歐 @ 20.1A�18V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)5.7V @ 6mA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)33 nC @ 18 V
  • Vgs(最大值)+23V�-5V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)1118 pF @ 400 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)125W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型通孔
  • 供應商器件封�PG-TO247-3-41
  • 封裝/外殼TO-247-3