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IPAN60R125PFD7SXKSA1 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/12 15:40:35 查看 閱讀:26

IPAN60R125PFD7SXKSA1是一款由Infineon(英飛凌)生產(chǎn)的功率MOSFET,采用TRENCHSTOP?技術(shù)制造。這款器件主要應(yīng)用于高頻開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。其封裝形式為PQFN5*6,具有較低的導(dǎo)通電阻和良好的開(kāi)關(guān)性能,能夠顯著提高效率并降低損耗。
  該器件在設(shè)計(jì)上注重提升系統(tǒng)可靠性與效率,特別適合需要緊湊型解決方案的應(yīng)用場(chǎng)合。

參數(shù)

型號(hào):IPAN60R125PFD7SXKSA1
  類(lèi)型:N-Channel MOSFET
  VDS(漏源極電壓):60V
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻,典型值):125mΩ
  ID(連續(xù)漏極電流):41A
  柵極電荷(Qg):35nC
  輸入電容(Ciss):2390pF
  封裝:PQFN5x6
  工作溫度范圍:-55℃至175℃

特性

IPAN60R125PFD7SXKSA1采用了先進(jìn)的TRENCHSTOP?技術(shù),具備以下突出特點(diǎn):
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少傳導(dǎo)損耗。
  2. 超快的開(kāi)關(guān)速度,可實(shí)現(xiàn)高頻操作,從而減小磁性元件體積。
  3. 高效的熱性能設(shè)計(jì),確保即使在高功率密度條件下也能保持穩(wěn)定運(yùn)行。
  4. 出色的短路耐受能力,增強(qiáng)系統(tǒng)整體可靠性。
  5. 小尺寸PQFN封裝,便于實(shí)現(xiàn)更緊湊的電路布局。

應(yīng)用

這款MOSFET廣泛應(yīng)用于各種電力電子設(shè)備中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流和主開(kāi)關(guān)。
  2. 電動(dòng)工具及家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制。
  3. 新能源汽車(chē)的輔助電源模塊。
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)電路。
  由于其高效能表現(xiàn),IPAN60R125PFD7SXKSA1非常適合要求高效率、小型化和高性能的設(shè)計(jì)。

替代型號(hào)

IPB60R125PFD7S, IRF640N

ipan60r125pfd7sxksa1推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ipan60r125pfd7sxksa1參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量2,683現(xiàn)貨
  • 價(jià)格1 : ¥22.90000管件
  • 系列CoolMOS?PFD7
  • 包裝管件
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • FET 類(lèi)型N 通道
  • 技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)650 V
  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)25A(Tc)
  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值)125 毫歐 @ 7.8A,10V
  • 不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值)4.5V @ 390μA
  • 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)36 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)1503 pF @ 400 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)32W(Tc)
  • 工作溫度-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類(lèi)型通孔
  • 供應(yīng)商器件封裝PG-TO220-FP
  • 封裝/外殼TO-220-3 整包