IPAN60R125PFD7SXKSA1是一款由Infineon(英飛凌)生產(chǎn)的功率MOSFET,采用TRENCHSTOP?技術(shù)制造。這款器件主要應(yīng)用于高頻開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。其封裝形式為PQFN5*6,具有較低的導(dǎo)通電阻和良好的開(kāi)關(guān)性能,能夠顯著提高效率并降低損耗。
該器件在設(shè)計(jì)上注重提升系統(tǒng)可靠性與效率,特別適合需要緊湊型解決方案的應(yīng)用場(chǎng)合。
型號(hào):IPAN60R125PFD7SXKSA1
類(lèi)型:N-Channel MOSFET
VDS(漏源極電壓):60V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻,典型值):125mΩ
ID(連續(xù)漏極電流):41A
柵極電荷(Qg):35nC
輸入電容(Ciss):2390pF
封裝:PQFN5x6
工作溫度范圍:-55℃至175℃
IPAN60R125PFD7SXKSA1采用了先進(jìn)的TRENCHSTOP?技術(shù),具備以下突出特點(diǎn):
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少傳導(dǎo)損耗。
2. 超快的開(kāi)關(guān)速度,可實(shí)現(xiàn)高頻操作,從而減小磁性元件體積。
3. 高效的熱性能設(shè)計(jì),確保即使在高功率密度條件下也能保持穩(wěn)定運(yùn)行。
4. 出色的短路耐受能力,增強(qiáng)系統(tǒng)整體可靠性。
5. 小尺寸PQFN封裝,便于實(shí)現(xiàn)更緊湊的電路布局。
這款MOSFET廣泛應(yīng)用于各種電力電子設(shè)備中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流和主開(kāi)關(guān)。
2. 電動(dòng)工具及家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制。
3. 新能源汽車(chē)的輔助電源模塊。
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)電路。
由于其高效能表現(xiàn),IPAN60R125PFD7SXKSA1非常適合要求高效率、小型化和高性能的設(shè)計(jì)。
IPB60R125PFD7S, IRF640N