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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IPAN60R125PFD7SXKSA1

IPAN60R125PFD7SXKSA1 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 15:40:35 查看 閱讀�26

IPAN60R125PFD7SXKSA1是一款由Infineon(英飛凌)生�(chǎn)的功率MOSFET,采用TRENCHSTOP?技�(shù)制�。這款器件主要�(yīng)用于高頻�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)景。其封裝形式為PQFN5*6,具有較低的�(dǎo)通電阻和良好的開(kāi)�(guān)性能,能夠顯著提高效率并降低損耗�
  該器件在�(shè)�(jì)上注重提升系�(tǒng)可靠性與效率,特別適合需要緊湊型解決方案的應(yīng)用場(chǎng)合�

參數(shù)

型號(hào):IPAN60R125PFD7SXKSA1
  �(lèi)型:N-Channel MOSFET
  VDS(漏源極電壓):60V
  RDS(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�125mΩ
  ID(連續(xù)漏極電流):41A
  柵極電荷(Qg):35nC
  輸入電容(Ciss):2390pF
  封裝:PQFN5x6
  工作溫度范圍�-55℃至175�

特�

IPAN60R125PFD7SXKSA1采用了先�(jìn)的TRENCHSTOP?技�(shù),具備以下突出特�(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少傳�(dǎo)損��
  2. 超快的開(kāi)�(guān)速度,可�(shí)�(xiàn)高頻操作,從而減小磁性元件體積�
  3. 高效的熱性能�(shè)�(jì),確保即使在高功率密度條件下也能保持�(wěn)定運(yùn)行�
  4. 出色的短路耐受能力,增�(qiáng)系統(tǒng)整體可靠��
  5. 小尺寸PQFN封裝,便于實(shí)�(xiàn)更緊湊的電路布局�

�(yīng)�

這款MOSFET廣泛�(yīng)用于各種電力電子�(shè)備中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流和主開(kāi)�(guān)�
  2. 電動(dòng)工具及家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)控制�
  3. 新能源汽�(chē)的輔助電源模��
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)電路�
  由于其高效能表現(xiàn),IPAN60R125PFD7SXKSA1非常適合要求高效�、小型化和高性能的設(shè)�(jì)�

替代型號(hào)

IPB60R125PFD7S, IRF640N

ipan60r125pfd7sxksa1推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ipan60r125pfd7sxksa1參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�2,683�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �22.90000管件
  • 系列CoolMOS?PFD7
  • 包裝管件
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET �(lèi)�N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�650 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)25A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)125 毫歐 @ 7.8A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)4.5V @ 390μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)36 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)1503 pF @ 400 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)32W(Tc�
  • 工作溫度-40°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝�(lèi)�通孔
  • 供應(yīng)商器件封�PG-TO220-FP
  • 封裝/外殼TO-220-3 整包