IPB015N08N5ATMA1 是一款由 Infineon(英飛凌)生�(chǎn)� N 溝道功率 MOSFET 芯片。該芯片采用先進的溝槽式技術制造,具有低導通電阻和高開關速度的特�,適用于多種高效能功率轉換應�。其額定電壓� 80V,持�(xù)漏極電流� 15A,封裝形式為 TO-263-3。這款器件在工�(yè)、汽車及消費類電子領域中被廣泛使��
最大漏源電壓:80V
最大連續(xù)漏極電流�15A
最大柵極閾值電壓:4V
典型導通電阻:5.5mΩ
總功耗:17W
工作結溫范圍�-55� � +175�
封裝類型:TO-263-3
IPB015N08N5ATMA1 的主要特點是低導通電�,僅� 5.5mΩ,這有助于減少功率損耗并提高效率。此�,它還具有快速開關能�,支持高頻操�,適合用� DC-DC 轉換器和電機驅動等應��
該芯片的耐熱性能�(yōu)�,能夠在高達 175� 的結溫下可靠運行,同時其堅固的設計使其能夠承受瞬�(tài)過載條件。其采用的溝槽式 MOSFET 技術優(yōu)化了電荷載流子流動路徑,從而降低了導通和開關損��
IPB015N08N5ATMA1 主要應用于需要高效率和高功率密度的場�,包括但不限于以下領域:
- 開關電源(SMPS�
- DC-DC 轉換�
- 電機驅動
- 工業(yè)自動化設�
- 電動工具
- 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換
由于其出色的電氣特性和熱性能,該器件非常適合要求嚴格的功率管理場��
IPD016N08N5ATMA1
IPB015N08N3G
IRFZ44N