時間：2025/5/19 9:11:10
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IPB020N08N5 是一款 N 溝道增強型功率 MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。該器件采用先進的制造工藝，具有低導通電阻和高開關速度的特點，適用于多種功率轉換和開關應用。其額定電壓為 80V，廣泛用于電機驅動、DC-DC 轉換器、開關電源等領域。
該芯片的主要特點是優(yōu)化了柵極電荷，從而提高了效率并降低了功耗。同時，它的漏源極擊穿電壓。
最大漏源電壓：80V
連續(xù)漏電流：20A
導通電阻：7.5mΩ
柵極電荷：35nC
總柵極電荷：49nC
輸入電容：1730pF
反向傳輸電容：250pF
工作結溫范圍：-55℃ 至 +150℃
1. 低導通電阻，有助于降低傳導損耗，提高系統(tǒng)效率。
2. 高開關速度，能夠適應高頻開關應用場景。
3. 較低的柵極電荷和輸出電荷，進一步優(yōu)化了動態(tài)性能。
4. 符合 RoHS 標準，環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。
5. 強大的雪崩能力，提高了器件的可靠性和抗浪涌能力。
6. 小封裝設計，適合空間受限的應用場景。
1. 開關模式電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉換器。
2. 電動工具和家用電器中的電機驅動。
3. 工業(yè)自動化設備中的功率控制。
4. LED 照明驅動電路。
5. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的保護電路。
6. 汽車電子中的負載切換和電機控制。
7. 各種高頻功率變換模塊。
IRLB8748PBF, FDP027N08L
