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IPB020N08N5 發(fā)布時間 時間:2025/5/19 9:11:10 查看 閱讀:17

IPB020N08N5 是一款 N 溝道增強型功率 MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用先進的制造工藝,具有低導通電阻和高開關速度的特點,適用于多種功率轉換和開關應用。其額定電壓為 80V,廣泛用于電機驅動、DC-DC 轉換器、開關電源等領域。
  該芯片的主要特點是優(yōu)化了柵極電荷,從而提高了效率并降低了功耗。同時,它的漏源極擊穿電壓。

參數

最大漏源電壓:80V
  連續(xù)漏電流:20A
  導通電阻:7.5mΩ
  柵極電荷:35nC
  總柵極電荷:49nC
  輸入電容:1730pF
  反向傳輸電容:250pF
  工作結溫范圍:-55℃ 至 +150℃

特性

1. 低導通電阻,有助于降低傳導損耗,提高系統(tǒng)效率。
  2. 高開關速度,能夠適應高頻開關應用場景。
  3. 較低的柵極電荷和輸出電荷,進一步優(yōu)化了動態(tài)性能。
  4. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。
  5. 強大的雪崩能力,提高了器件的可靠性和抗浪涌能力。
  6. 小封裝設計,適合空間受限的應用場景。

應用

1. 開關模式電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉換器。
  2. 電動工具和家用電器中的電機驅動。
  3. 工業(yè)自動化設備中的功率控制。
  4. LED 照明驅動電路。
  5. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的保護電路。
  6. 汽車電子中的負載切換和電機控制。
  7. 各種高頻功率變換模塊。

替代型號

IRLB8748PBF, FDP027N08L

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