IPB025N10N3G是一款由Infineon(英飛凌)生�(chǎn)的MOSFET功率晶體管。該器件采用N溝道增強型結�,主要設計用于高頻開關應用和功率轉換電路。其出色的導通電阻和較低的柵極電荷使得該器件在效率和速度方面表現(xiàn)出色,適用于各種工業(yè)和消費類電子�(chǎn)品中的電源管��
該器件采用了TO-252 (DPAK)封裝形式,這種封裝方式能夠提供良好的散熱性能,并且便于表面貼裝技術(SMT)生�(chǎn)。IPB025N10N3G的耐壓值為100V,具有低導通電阻特性,同時具備快速開關能�,非常適合于DC-DC轉換器、電機驅動以及負載開關等應用場合�
最大漏源電壓:100V
最大連續(xù)漏電流:2.5A
最大脈沖漏電流�7.5A
導通電阻(典型值)�180mΩ
柵極電荷�4nC
輸入電容�420pF
總功耗:1.4W
工作結溫范圍�-55℃至+150�
1. 超低導通電阻設�,在高電流密度下仍能保持高效運行�
2. 快速開關性能,能夠降低開關損耗并提高系統(tǒng)效率�
3. 高可靠�,支持高溫環(huán)境下的長期穩(wěn)定運��
4. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛制造工��
5. �(yōu)化的熱性能,確保器件在高功率應用場景中的穩(wěn)定性�
6. 支持表面貼裝工藝,簡化生�(chǎn)和組裝流程�
7. �(nèi)置ESD保護功能,提升抗靜電能力�
1. 開關電源(SMPS�
2. DC-DC轉換�
3. 電機控制和驅�
4. LED照明驅動電路
5. 消費類電子產(chǎn)品的負載開關
6. 工業(yè)自動化設備中的功率管理模�
7. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
IPP025N10N3G, IRF530, BUK7Y1R8-10E