IPB026N10NF2S是一款由Infineon(英飛凌)生�(chǎn)的MOSFET功率晶體�,采用PDFN3333-8封裝形式。該器件屬于OptiMOS系列,具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),適合用于要求高效能、小尺寸的應(yīng)用場(chǎng)�。其典型�(yīng)用包括開�(guān)電源(SMPS)、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等電力電子領(lǐng)��
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�2.9A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ
柵極電荷�15nC
總熱阻(�(jié)到環(huán)境)�117°C/W
工作�(jié)溫范圍:-55°C�175°C
IPB026N10NF2S具備非常低的�(dǎo)通電�,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提升整體效率�
該產(chǎn)品使用了先�(jìn)的溝槽技�(shù)制�,確保了出色的開�(guān)性能和較低的柵極電荷�
由于采用了PDFN3333-8小型封裝,使得此器件非常適合空間受限的設(shè)�(jì)�
此外,它還擁有較高的雪崩耐量能力,增�(qiáng)了器件在異常情況下的可靠��
其寬廣的工作溫度范圍能夠適應(yīng)各種�(yán)苛的�(huán)境條��
這款MOSFET廣泛�(yīng)用于消費(fèi)類電子產(chǎn)�、工�(yè)�(shè)備及汽車電子等領(lǐng)域�
在消�(fèi)電子�,可用于筆記本電腦適配器、USB-PD充電器等�
工業(yè)�(yīng)用方�,適合于太陽能微型逆變�、電信電源等需要高效能量轉(zhuǎn)換的地方�
在汽車電子中,可以作為車身控制模塊、LED照明�(qū)�(dòng)電路中的�(guān)鍵元��
IPB032N10N3G, IPD026N10N3L