IPB042N10N3GATMA1 是一款由 Infineon(英飛凌)生�(chǎn)� N � � Mosfet。該器件采用 TO-252 (DPAK) 封裝,具有較低的�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,適用于多種功率�(zhuǎn)換應(yīng)��
這款 MOSFET 的設(shè)計主要針對高效能、低功耗的�(yīng)用場�,能夠提供卓越的性能表現(xiàn)�
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�4.2A
�(dǎo)通電阻:150mΩ
柵極電荷�7nC
總電容:135pF
工作溫度范圍�-55� � +150�
IPB042N10N3GATMA1 具有以下顯著特性:
1. 超低�(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高效率�
2. 快速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)��
3. 較小的封裝尺寸,便于電路板布局�(yōu)��
4. �(yōu)秀的熱�(wěn)定性和可靠�,能夠在寬溫范圍�(nèi)�(wěn)定運��
5. 符合 RoHS �(biāo)�,環(huán)保且無鉛�
該型號的 MOSFET 廣泛�(yīng)用于各類電力電子�(shè)備中,包括但不限于:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC/DC �(zhuǎn)換器
3. LED �(qū)動器
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
5. 工業(yè)自動化控制中的電機驅(qū)�
6. 消費類電子產(chǎn)品中的負載開�(guān)
IPD060N10N3GATMA1, IRF540NPBF