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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IPB072N15N3 G

IPB072N15N3 G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/29 20:50:40 查看 閱讀�9

IPB072N15N3 G 是一款由 Infineon(英飛凌)生�(chǎn)� N 溝道功率 MOSFET。該器件采用 TO-247-3 封裝,適用于高電�、高效率的開�(guān)�(yīng)用。其�(shè)�(jì)目標(biāo)是提供低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,以滿足工業(yè)和汽車領(lǐng)�?qū)Ω咝阅芄β兽D(zhuǎn)換的需求�
  這款 MOSFET 的耐壓能力� 150V,能夠承受較高的漏源極電�,并具備�(yōu)秀的熱性能和電氣性能。它通常被用� DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器以及負(fù)載切換等�(chǎng)景�

參數(shù)

最大漏源電壓:150V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�7.2A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�80mΩ
  柵極電荷�36nC
  開關(guān)速度:快�
  封裝形式:TO-247-3

特�

IPB072N15N3 G 的主要特性包括:
  1. 高耐壓能力,適合高�(dá) 150V 的應(yīng)用環(huán)境�
  2. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,在典型條件下僅� 80mΩ,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高效率�
  3. 快速開�(guān)能力,得益于其較低的柵極電荷和輸出電容,使得該器件非常適合高頻開�(guān)�(yīng)��
  4. 具備�(yōu)異的雪崩能力和熱�(wěn)定�,確保在極端條件下的可靠��
  5. TO-247-3 封裝提供良好的散熱性能和機(jī)械強(qiáng)�,適�(yīng)�(yán)苛的工作�(huán)��

�(yīng)�

該器件廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源 (SMPS),如 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 電機(jī)控制和驅(qū)�(dòng)電路�
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
  4. 太陽(yáng)能逆變器和不間斷電� (UPS) 系統(tǒng)�
  5. 汽車電子系統(tǒng)中的功率管理模塊�

替代型號(hào)

IPA072N15N3 G, IPD072N15N3 G

ipb072n15n3 g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ipb072n15n3 g參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IPx072,75N15N3 G
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)150V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C100A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7.2 毫歐 @ 100A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 270µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs93nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds5470pF @ 75V
  • 功率 - 最�300W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak�2 引線+接片�,TO-263AB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TO263-2
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SP000386664