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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IPB100N04S3-03

IPB100N04S3-03 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/23 9:50:36 查看 閱讀�18

IPB100N04S3-03 是一款由 Infineon(英飛凌)生�(chǎn)� N 灃道場效�(yīng)晶體管(MOSFET�,屬� OptiMOS 系列。該器件采用了先�(jìn)的制程技�(shù),具有低�(dǎo)通電�、高效率和出色的熱性能等特�,非常適合用于各種開�(guān)�(yīng)�,如 DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動和電源管理等領(lǐng)域�
  這款 MOSFET 的封裝形式為 PQFN3333-10L�3.3x3.3mm�,非常適用于對空間要求嚴(yán)格的緊湊型設(shè)�(jì)�

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流�100A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�1.3mΩ
  柵極電荷(典型值)�68nC
  開關(guān)速度:快�
  工作�(jié)溫范圍:-55� � 175�

特�

IPB100N04S3-03 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on)�,能夠有效降低功率損�,提升整體系�(tǒng)效率�
  2. 高電流處理能�,支持高�(dá) 100A 的連續(xù)漏極電流,滿足大功率�(yīng)用場景的需求�
  3. 小巧� PQFN 封裝,節(jié)� PCB 空間,同�(shí)具備良好的散熱性能�
  4. 出色的熱�(wěn)定�,在高溫�(huán)境下依然能夠保持可靠的性能�
  5. 快速開�(guān)特�,適合高頻開�(guān)�(yīng)�,有助于減少開關(guān)損��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適用于現(xiàn)代電子設(shè)備的�(shè)�(jì)要求�

�(yīng)�

IPB100N04S3-03 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 電信和服�(wù)器電源中的高� DC-DC �(zhuǎn)��
  2. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電�(jī)�(qū)動控��
  3. 電動汽車和混合動力汽車中的電池管理系�(tǒng)�
  4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的適配器和充電器�
  5. 各種開關(guān)模式電源(SMPS)解決方��
  6. LED �(qū)動器和其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場��

替代型號

IPA100N04S3-03, IPB100N04S3L-03

ipb100n04s3-03推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

ipb100n04s3-03參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IPx100N04S3-03
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C100A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.5 毫歐 @ 80A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 150µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs145nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds9600pF @ 25V
  • 功率 - 最�214W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak�2 引線+接片),TO-263AB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TO263-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IPB100N04S3-03-NDIPB100N04S3-03TRSP000260847