IPB100N04S4-H2 是一款高性能� N 溝道功率 MOSFET,專為高效率開關(guān)�(yīng)用設(shè)�。該器件采用了先進的制程技�(shù),具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�,適合用� DC-DC �(zhuǎn)換器、開�(guān)電源、電機驅(qū)動等�(yīng)用場��
該芯片具有出色的熱性能和可靠�,能夠承受較高的電流�(fù)�,并且在高頻工作條件下仍能保持較低的功��
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�100A
�(dǎo)通電阻:1.8mΩ
柵極電荷�55nC
開關(guān)時間:ton=9ns, toff=15ns
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
IPB100N04S4-H2 具有以下顯著特點�
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于減少�(dǎo)通損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 快速的開關(guān)速度,可有效降低開關(guān)損�,適用于高頻電路�
3. 高電流承載能�,支持高�(dá) 100A 的連續(xù)漏極電流�
4. �(yōu)異的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運行�
5. 緊湊的封裝形�,便� PCB 布局和散熱設(shè)計�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛材��
這款 MOSFET 廣泛�(yīng)用于多種電力電子�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (Switching Power Supply) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電機�(qū)動和逆變��
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模塊�
4. 電動汽車和混合動力汽車的動力系統(tǒng)�
5. LED �(qū)動和照明控制�
6. 電池管理系統(tǒng)的充放電控制電路�
IPB100N04S4L-H2, IRF1010Z, FDP100N04LS