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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > IPB120N06S4-03

IPB120N06S4-03 發(fā)布時間 時間�2025/5/21 13:30:09 查看 閱讀�21

IPB120N06S4-03 是一� N 溝道功率 MOSFET,采� TO-252 封裝形式。該器件適用于高頻開關應�,具有低導通電阻和快速開關速度的特點。其典型應用包括 DC-DC 轉換�、開關電源、電機驅動以及負載切換等場景�
  � MOSFET 屬于 Infineon � BIPAxx 系列產品,專為高效能要求的工�(yè)及消費類電子設計而優(yōu)��

參數

最大漏源電壓:60V
  最大連續(xù)漏極電流�120A
  導通電阻:3.6mΩ(典型值,� Vgs=10V 時)
  柵極電荷�7nC(典型值)
  總電容(Ciss):840pF(典型值)
  開關時間:ton=13ns,toff=9ns(典型值)
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

1. 極低的導通電� Rds(on),有助于減少傳導損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速的開關性能,適合高頻應��
  3. 高雪崩能�,增強器件在過載條件下的可靠��
  4. 具備出色的熱�(wěn)定性,能夠在高結溫下保持性能�
  5. 小型封裝設計節(jié)� PCB 空間,同時提供良好的散熱性能�

應用

1. 開關模式電源(SMPS)中的功率轉換級�
  2. DC-DC 轉換器的核心開關元件�
  3. 電機控制與驅動電路中的功率開關�
  4. 各種負載切換應用,如電池管理系統(tǒng)中的開關�
  5. 工業(yè)自動化設備中的功率管理模塊�

替代型號

IPW120N06S4-03, IRFZ44N, FDP150N06L

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ipb120n06s4-03參數

  • 數據列表IPx120N06S4-03
  • 標準包裝1,000
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C120A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.8 毫歐 @ 100A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 120µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs160nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds13150pF @ 25V
  • 功率 - 最�167W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak�2 引線+接片�,TO-263AB
  • 供應商設備封�PG-TO263-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SP000415558