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IPB120N10S4-05 發(fā)布時間 時間:2025/5/29 8:34:41 查看 閱讀:13

IPB120N10S4-05 是一款由 Infineon(英飛凌)生產(chǎn)的 N 溝道功率 MOSFET。該器件采用 SMD 封裝,具體為 TO-Leadless (DT) 封裝形式,適用于需要高效率和低導(dǎo)通損耗的應(yīng)用場景。其額定電壓為 100V,持續(xù)漏極電流為 120A,主要針對開關(guān)電源、電機驅(qū)動、DC/DC 轉(zhuǎn)換器以及負載開關(guān)等應(yīng)用設(shè)計。
  該 MOSFET 具有較低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷,能夠有效減少傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗,從而提升整體系統(tǒng)效率。

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  最大連續(xù)漏極電流:120A
  導(dǎo)通電阻(典型值,在 Vgs=10V 時):3.8mΩ
  柵極電荷(典型值):76nC
  總柵極電荷(典型值):93nC
  輸入電容(典型值):2080pF
  反向恢復(fù)時間:90ns
  工作結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +175℃

特性

IPB120N10S4-05 的主要特點是其具有非常低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),在 Vgs=10V 時僅為 3.8mΩ。這使得它非常適合用于高電流密度的設(shè)計,同時可以顯著降低功耗。
  此外,該器件還具備以下優(yōu)勢:
  1. 高效的熱性能:TO-Leadless 封裝提供卓越的散熱能力,有助于將熱量快速傳導(dǎo)至 PCB 上。
  2. 快速開關(guān)速度:得益于其低柵極電荷和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu),IPB120N10S4-05 可實現(xiàn)快速開關(guān),從而減少開關(guān)損耗。
  3. 增強的魯棒性:該器件經(jīng)過嚴格測試,確保能夠在嚴苛的工作條件下保持可靠性。
  4. 緊湊型封裝:相比傳統(tǒng)插件封裝,SMD 封裝更節(jié)省空間,便于設(shè)計小型化產(chǎn)品。
  5. 廣泛的工作溫度范圍:支持從 -55°C 到 +175°C 的結(jié)溫范圍,適應(yīng)各種環(huán)境條件。

應(yīng)用

IPB120N10S4-05 適用于多種電力電子應(yīng)用場景,包括但不限于:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)
  2. 電機驅(qū)動電路
  3. DC/DC 轉(zhuǎn)換器
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負載開關(guān)
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模塊
  6. 新能源領(lǐng)域,如太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)中的功率管理單元

替代型號

IPD120N10S4KSA-05, IRFH5320TRPbF, FDP158N10AS

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