IPB120N10S4-05 是一款由 Infineon(英飛凌)生�(chǎn)� N 溝道功率 MOSFET。該器件采用 SMD 封裝,具體為 TO-Leadless (DT) 封裝形式,適用于需要高效率和低�(dǎo)通損耗的�(yīng)用場�。其額定電壓� 100V,持�(xù)漏極電流� 120A,主要針對開�(guān)電源、電機驅(qū)�、DC/DC �(zhuǎn)換器以及負載開關(guān)等應(yīng)用設(shè)計�
� MOSFET 具有較低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷,能夠有效減少傳�(dǎo)損耗和開關(guān)損�,從而提升整體系�(tǒng)效率�
最大漏源電壓:100V
最大連續(xù)漏極電流�120A
�(dǎo)通電阻(典型�,在 Vgs=10V 時)�3.8mΩ
柵極電荷(典型值)�76nC
總柵極電荷(典型值)�93nC
輸入電容(典型值)�2080pF
反向恢復(fù)時間�90ns
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
IPB120N10S4-05 的主要特點是其具有非常低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),� Vgs=10V 時僅� 3.8mΩ。這使得它非常適合用于高電流密度的�(shè)�,同時可以顯著降低功耗�
此外,該器件還具備以下優(yōu)勢:
1. 高效的熱性能:TO-Leadless 封裝提供卓越的散熱能力,有助于將熱量快速傳�(dǎo)� PCB ��
2. 快速開�(guān)速度:得益于其低柵極電荷和優(yōu)化的�(nèi)部結(jié)�(gòu),IPB120N10S4-05 可實�(xiàn)快速開�(guān),從而減少開�(guān)損��
3. 增強的魯棒性:該器件經(jīng)過嚴格測�,確保能夠在嚴苛的工作條件下保持可靠性�
4. 緊湊型封裝:相比傳統(tǒng)插件封裝,SMD 封裝更節(jié)省空�,便于設(shè)計小型化�(chǎn)��
5. 廣泛的工作溫度范圍:支持� -55°C � +175°C 的結(jié)溫范圍,適應(yīng)各種�(huán)境條��
IPB120N10S4-05 適用于多種電力電子應(yīng)用場�,包括但不限于:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. 電機�(qū)動電�
3. DC/DC �(zhuǎn)換器
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負載開�(guān)
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模�
6. 新能源領(lǐng)�,如太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)中的功率管理單元
IPD120N10S4KSA-05, IRFH5320TRPbF, FDP158N10AS