時間：2025/5/29 8:34:41
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IPB120N10S4-05 是一款由 Infineon（英飛凌）生產(chǎn)的 N 溝道功率 MOSFET。該器件采用 SMD 封裝，具體為 TO-Leadless (DT) 封裝形式，適用于需要高效率和低導(dǎo)通損耗的應(yīng)用場景。其額定電壓為 100V，持續(xù)漏極電流為 120A，主要針對開關(guān)電源、電機驅(qū)動、DC/DC 轉(zhuǎn)換器以及負載開關(guān)等應(yīng)用設(shè)計。
該 MOSFET 具有較低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷，能夠有效減少傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗，從而提升整體系統(tǒng)效率。
最大漏源電壓：100V
最大連續(xù)漏極電流：120A
導(dǎo)通電阻（典型值，在 Vgs=10V 時）：3.8mΩ
柵極電荷（典型值）：76nC
總柵極電荷（典型值）：93nC
輸入電容（典型值）：2080pF
反向恢復(fù)時間：90ns
工作結(jié)溫范圍：-55℃ 至 +175℃
IPB120N10S4-05 的主要特點是其具有非常低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），在 Vgs=10V 時僅為 3.8mΩ。這使得它非常適合用于高電流密度的設(shè)計，同時可以顯著降低功耗。
此外，該器件還具備以下優(yōu)勢：
1. 高效的熱性能：TO-Leadless 封裝提供卓越的散熱能力，有助于將熱量快速傳導(dǎo)至 PCB 上。
2. 快速開關(guān)速度：得益于其低柵極電荷和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，IPB120N10S4-05 可實現(xiàn)快速開關(guān)，從而減少開關(guān)損耗。
3. 增強的魯棒性：該器件經(jīng)過嚴格測試，確保能夠在嚴苛的工作條件下保持可靠性。
4. 緊湊型封裝：相比傳統(tǒng)插件封裝，SMD 封裝更節(jié)省空間，便于設(shè)計小型化產(chǎn)品。
5. 廣泛的工作溫度范圍：支持從 -55°C 到 +175°C 的結(jié)溫范圍，適應(yīng)各種環(huán)境條件。
IPB120N10S4-05 適用于多種電力電子應(yīng)用場景，包括但不限于：
1. 開關(guān)電源（SMPS）
2. 電機驅(qū)動電路
3. DC/DC 轉(zhuǎn)換器
4. 電池管理系統(tǒng)（BMS）中的負載開關(guān)
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模塊
6. 新能源領(lǐng)域，如太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)中的功率管理單元
IPD120N10S4KSA-05, IRFH5320TRPbF, FDP158N10AS
