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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IPB180N04S4-H0

IPB180N04S4-H0 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 11:39:24 查看 閱讀�24

IPB180N04S4-H0 是一款由 Infineon(英飛凌)生�(chǎn)� N 沱道 �(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET�。該器件屬于 OptiMOS 系列,專為高效能開關(guān)�(yīng)用而設(shè)�(jì)。其�(yōu)化的�(dǎo)通電阻和柵極電荷使其在高頻開�(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及太陽(yáng)能逆變器等。此 MOSFET 采用 TO-220 封裝形式,便于散熱和安裝�
  OptiMOS 技�(shù)通過(guò)降低�(dǎo)通損耗和開關(guān)損�,�(jìn)一步提升了效率,并減少了整體系�(tǒng)成本。IPB180N04S4-H0 的高雪崩能力和魯棒性確保了在惡劣環(huán)境下的可靠運(yùn)行�

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流�180A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�1.3mΩ
  柵極電荷(典型值)�175nC
  開關(guān)頻率范圍:最高支�?jǐn)?shù)百kHz
  封裝形式:TO-220
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),在高電流條件下顯著降低功��
  2. �(yōu)化的柵極電荷 (Qg),實(shí)�(xiàn)高效的開�(guān)性能�
  3. �(nèi)置二極管提供反向保護(hù)功能,增�(qiáng)電路可靠��
  4. 高雪崩能量能力,能夠在短路或�(guò)載情況下提供額外保護(hù)�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合各種工業(yè)及消�(fèi)類應(yīng)用�
  6. 工作溫度范圍寬廣,適�(yīng)多種極端條件下的使用�(chǎng)��

�(yīng)�

1. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(jí)開關(guān)�
  2. 各類電機(jī)�(qū)�(dòng),包括無(wú)刷直流電�(jī)(BLDC)控��
  3. 太陽(yáng)能逆變器中的功率模塊組件�
  4. 不間斷電源(UPS)系�(tǒng)中的功率開關(guān)�
  5. 電動(dòng)汽車(EV)和混合�(dòng)力汽車(HEV)中的電池管理系�(tǒng)(BMS)�
  6. 高效能電源適配器及充電器�(shè)�(jì)�

替代型號(hào)

IPW180N04S4-L, IPP180N04S4PFP, IPB180N04S4-H

ipb180n04s4-h0推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ipb180n04s4-h0參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IPB180N04S4-H0
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C180A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.1 毫歐 @ 100A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 180µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs225nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds17940pF @ 25V
  • 功率 - 最�250W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-7,D²Pak�6 引線+接片),TO-263CB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TO263-7-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IPB180N04S4H0ATMA1SP000711248