IPB330P10NM 是一� N 溝道功率 MOSFET,專為高頻開�(guān)�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制�,具有較低的�(dǎo)通電阻和柵極電荷,能夠顯著提高效率并降低功�。其封裝形式通常� TO-220 或類似功率封�,適用于多種工業(yè)和消�(fèi)類電子應(yīng)用�
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�33A
�(dǎo)通電阻:0.14Ω
柵極電荷�48nC
總柵極電荷:75nC
開關(guān)�(shí)間:ton=78ns, toff=92ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
封裝形式:TO-220
IPB330P10NM 的主要特�(diǎn)是其高耐壓能力�650V�,適合高壓電路環(huán)�。同�(shí),其低導(dǎo)通電阻(0.14Ω)確保了在大電流條件下仍能保持較低的功�。此�,該器件的柵極電荷較小,有助于實(shí)�(xiàn)快速開�(guān)操作,減少開�(guān)損��
� MOSFET 還具備優(yōu)異的熱穩(wěn)定�,能夠在高溫�(huán)境下可靠�(yùn)�,這使其非常適合于�(duì)溫度要求較高的應(yīng)用場(chǎng)�。另�,其封裝形式便于散熱管理,�(jìn)一步提升了器件的整體性能�
IPB330P10NM 廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC �(zhuǎn)換器、逆變器以及其他需要高頻開�(guān)和高效能量轉(zhuǎn)換的�(chǎng)�。由于其高耐壓特性和大電流處理能�,該器件特別適合于工�(yè)控制、汽車電子以及家用電器等�(lǐng)域的電力管理系統(tǒng)�
IPW330P10N, IRF840, STP33NF10