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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IPBE65R115CFD7A

IPBE65R115CFD7A 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 17:04:19 查看 閱讀�29

IPBE65R115CFD7A 是一款由 Infineon(英飛凌)推出的增強� n 沱溝� MOSFET。該器件采用先進的 TRENCHSTOP? IGBT 技�(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)效率的特�,適用于各種高功率密度的�(yīng)用場景�
  這款 MOSFET 的封裝形式為 D2PAK-7 (I2PAK),具有出色的散熱性能和較低的寄生電感,使其非常適合高頻開�(guān)�(yīng)�。此外,其設(shè)計注重提高系�(tǒng)可靠性和降低電磁干擾(EMI�,廣泛應(yīng)用于電機�(qū)�、太陽能逆變�、不間斷電源(UPS�、以� DC-DC �(zhuǎn)換器等領(lǐng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  最大連續(xù)漏電流:80A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�115mΩ
  柵極電荷(典型值)�93nC
  反向恢復(fù)時間�34ns
  工作�(jié)溫范圍:-55� � 175�
  封裝形式:D2PAK-7 (I2PAK)

特�

IPBE65R115CFD7A 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on)�,能夠顯著降低傳�(dǎo)損�,提升整體系�(tǒng)效率�
  2. 高頻�(yōu)化設(shè)�,適合要求快速開�(guān)的應(yīng)用環(huán)��
  3. 具備高雪崩能力和魯棒�,確保在惡劣條件下的可靠性�
  4. �(nèi)置二極管具備超快恢復(fù)時間,有效減少開�(guān)損耗�
  5. 采用無引線封裝技�(shù),減少了熱阻和電氣連接問題,從而提升了散熱能力與電氣性能�
  6. 符合 RoHS 標準,支持環(huán)保設(shè)計需求�

�(yīng)�

� MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 工業(yè)電機�(qū)動中的功率級開關(guān)�
  2. 太陽能逆變器中用于高效的直流到交流�(zhuǎn)換�
  3. 不間斷電源(UPS)系�(tǒng)中作為主功率開關(guān)�
  4. 電動汽車充電站及車載 DC-DC �(zhuǎn)換器�
  5. 各類高效� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  6. 開關(guān)模式電源(SMPS)和 PFC(功率因�(shù)校正)電��

替代型號

IPW100R125CFD7A
  IPP060N10S4L
  IRFP4468TRPBF

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