IPC100N04S5-1R9 是一款基于硅技術的 N 沃特(N-Channel)功� MOSFET。該器件具有低導通電阻和高開關速度,適用于多種高頻和高效能應用。其采用 TO-263 封裝形式,適合表面貼裝技術(SMT),能夠有效提升電路性能并簡化設計過��
這款功率 MOSFET 在電源管理、電機驅動以及工�(yè)控制領域表現(xiàn)�(yōu)�,是�(xiàn)代電子設備中不可或缺的關鍵元��
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�100A
導通電阻(典型值)�1.9mΩ
柵極電荷�38nC
總功耗:240W
封裝類型:TO-263
IPC100N04S5-1R9 的主要特性包括出色的熱性能、低導通電阻以及高可靠��
低導通電阻確保了在大電流條件下產(chǎn)生的功率損耗最小化,從而提升了整體效率�
此外,該器件具備快速開關能�,能夠顯著降低開關損�,非常適合高頻應��
其堅固的設計和優(yōu)化的熱阻使其能夠在嚴苛的工作�(huán)境下保持�(wěn)定運��
同時,由于采用了先進的封裝技�,IPC100N04S5-1R9 還具備卓越的電氣隔離能力和抗干擾性能�
IPC100N04S5-1R9 廣泛應用于多個領�,例� DC-DC 轉換�、逆變器、不間斷電源(UPS�、太陽能逆變器以及電動車輛中的電機驅動系�(tǒng)�
在通信電源和工�(yè)自動化設備中,該器件同樣表現(xiàn)出色,可實現(xiàn)高效的功率轉換和精準的負載控制�
此外,它還被廣泛用于消費類電子產(chǎn)品,如筆記本電腦適配器和家用電器�,以滿足對高性能和低能耗的需��
IPC075N04S5-1R6
IPC075N04S5-1R7
IPC100N04L