IPD023N04NF2S 是一� N 溝道功率 MOSFET,采用先�(jìn)的制造工藝設(shè)�(jì)而成,旨在為各種�(yīng)用提供高效率和低損�。該器件具有較低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷,使其非常適合于高頻開關(guān)�(yīng)�。此外,它還具備出色的熱性能和耐用�,能夠在惡劣的工作環(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)��
這款 MOSFET 廣泛�(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC �(zhuǎn)換器等領(lǐng)�,其小型化的封裝�(shè)�(jì)也使得其在空間受限的�(yīng)用場(chǎng)景中非常�(shí)用�
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�23A
�(dǎo)通電阻(典型值)�2.7mΩ
柵極電荷(Qg):18nC
總柵極電荷(Qgd):5nC
工作�(jié)溫范圍:-55� to +175�
封裝形式:TO-263-3
IPD023N04NF2S 的主要特性包括低�(dǎo)通電阻和低柵極電�,這使得其在高頻開�(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色,同�(shí)能夠顯著降低功率損�。此�,器件的耐熱性和可靠性經(jīng)�(guò)�(yōu)化,即使在極端溫度條件下也能保證�(wěn)定的性能表現(xiàn)�
該器件采用了先�(jìn)的溝槽式 MOSFET 技�(shù),從而實(shí)�(xiàn)了更低的 RDS(on) �,并且封裝形式緊�,易于集成到各種電路�(shè)�(jì)��
由于其優(yōu)異的�(dòng)�(tài)性能和電氣特�,IPD023N04NF2S 成為了許多高效能電子系統(tǒng)中的首選解決方案�
IPD023N04NF2S 可用于以下應(yīng)用場(chǎng)景:
1. 開關(guān)電源 (SMPS)
2. DC-DC �(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控�
5. 電池管理系統(tǒng) (BMS)
6. LED �(qū)�(dòng)�
7. 通信�(shè)備中的功率調(diào)節(jié)模塊
這些�(yīng)用領(lǐng)域需要高效的功率�(zhuǎn)換和精確的控制,� IPD023N04NF2S 憑借其低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)能力,能夠滿足這些需��
IPD023N04LF2S, IRFZ44N