IPD034N06N3 G 是一� N 溝道增強型功� MOSFET,采用先進的半導體工藝制�。該器件具有低導通電阻、高開關速度和出色的熱性能,適用于各種高效能的電源管理應用。其額定電壓� 60V,適合中低壓應用場景,例� DC-DC 轉換�、負載開關和電機驅動等�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�48A
導通電阻:2.9mΩ(典型�,@ Vgs=10V�
柵極電荷�25nC(典型值)
開關頻率:最高支持至 1MHz
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-263 (D2PAK)
1. 極低的導通電�,有助于減少傳導損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開關能力,能夠滿足高頻應用需��
3. 高雪崩能�,增強了器件在異常條件下的可靠��
4. 熱穩(wěn)定性優(yōu)�,能夠在高溫�(huán)境下持續(xù)�(wěn)定運行�
5. 小型封裝設計,便� PCB 布局和散熱處理�
1. 開關模式電源(SMPS�
2. DC-DC 轉換�
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
4. 電機驅動與控�
5. 工業(yè)自動化設備中的負載開�
6. 汽車電子領域中的電源管理
IPD034N06N3L G, IRFZ44N, FDP034N06L