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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > IPD034N06N3 G

IPD034N06N3 G 發(fā)布時間 時間�2025/6/4 9:52:07 查看 閱讀�8

IPD034N06N3 G 是一� N 溝道增強型功� MOSFET,采用先進的半導體工藝制�。該器件具有低導通電阻、高開關速度和出色的熱性能,適用于各種高效能的電源管理應用。其額定電壓� 60V,適合中低壓應用場景,例� DC-DC 轉換�、負載開關和電機驅動等�

參數

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�48A
  導通電阻:2.9mΩ(典型�,@ Vgs=10V�
  柵極電荷�25nC(典型值)
  開關頻率:最高支持至 1MHz
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-263 (D2PAK)

特�

1. 極低的導通電�,有助于減少傳導損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速開關能力,能夠滿足高頻應用需��
  3. 高雪崩能�,增強了器件在異常條件下的可靠��
  4. 熱穩(wěn)定性優(yōu)�,能夠在高溫�(huán)境下持續(xù)�(wěn)定運行�
  5. 小型封裝設計,便� PCB 布局和散熱處理�

應用

1. 開關模式電源(SMPS�
  2. DC-DC 轉換�
  3. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
  4. 電機驅動與控�
  5. 工業(yè)自動化設備中的負載開�
  6. 汽車電子領域中的電源管理

替代型號

IPD034N06N3L G, IRFZ44N, FDP034N06L

ipd034n06n3 g推薦供應� 更多>

  • 產品型號
  • 供應�
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ipd034n06n3 g參數

  • 數據列表IPD034N06N3 G
  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C100A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.4 毫歐 @ 100A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 93µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs130nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds11000pF @ 30V
  • 功率 - 最�167W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應商設備封�PG-TO252-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IPD034N06N3 G-NDSP000451070