IPD034N06N3G 是一款由 Infineon(英飛凌)生�(chǎn)� N 溝道增強� MOSFET。該器件采用先�(jìn)的溝槽式技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,非常適合用于高頻開�(guān)�(yīng)用以及功率轉(zhuǎn)換電��
該芯片主要應(yīng)用于消費電子、工�(yè)控制及汽車電子等�(lǐng)�,能夠滿足多種復(fù)雜場景下的功率管理需��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�3.8A
�(dǎo)通電阻:45mΩ
柵極電荷�12nC
開關(guān)時間:ton=9ns, toff=18ns
工作�(jié)溫范圍:-55� � 175�
封裝形式:SO-8
IPD034N06N3G 的主要特性包括以下幾點:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少功率損耗并提高效率�
2. 高速開�(guān)性能,支持高頻應(yīng)�,適合于 DC-DC �(zhuǎn)換器等場��
3. �(nèi)� ESD 保護功能,提高了器件在實際使用中的可靠��
4. 良好的熱�(wěn)定�,能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)正常運行�
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)��
6. 封裝緊湊,易于集成到各種 PCB 板中�
這款 MOSFET 廣泛適用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
2. 電機�(qū)動和電池管理系統(tǒng)的功率級組件�
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
4. LED 照明�(qū)動電��
5. 消費類電子產(chǎn)品中的充電模塊和適配器�
6. 通信�(shè)備中的功率調(diào)節(jié)部分�
IPB034N06N3G, IPP034N06N3G