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IPD040N03L G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/8 9:43:51 查看 閱讀：34

IPD040N03L G 是一款 N 溝道功率 MOSFET，采用 PDFN8 封裝形式。該器件適用于需要高效能和低功耗的應(yīng)用場(chǎng)景，廣泛用于消費(fèi)電子、通信設(shè)備以及工業(yè)控制等領(lǐng)域。其設(shè)計(jì)旨在提供卓越的開關(guān)性能和導(dǎo)通電阻特性，從而優(yōu)化整體電路效率。
　　這款 MOSFET 的最大特點(diǎn)是其極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 和高電流處理能力，使其成為驅(qū)動(dòng)負(fù)載的理想選擇。同時(shí)，其緊湊的封裝尺寸非常適合空間受限的設(shè)計(jì)。

參數(shù)

最大漏源電壓：30V
　　連續(xù)漏極電流：40A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：1.2mΩ
　　柵極電荷：29nC
　　總電容：1650pF
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃

特性

IPD040N03L G 具有以下顯著特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 可減少傳導(dǎo)損耗，提高系統(tǒng)效率。
　　2. 高雪崩能力增強(qiáng)了器件在異常情況下的可靠性。
　　3. 超小型 PDFN8 封裝適合于高密度 PCB 布局。
　　4. 快速開關(guān)性能使得它在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
　　5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且滿足全球法規(guī)要求。
　　6. 寬工作溫度范圍 (-55℃ 至 +175℃) 適應(yīng)各種惡劣環(huán)境。

應(yīng)用

該器件適合多種應(yīng)用場(chǎng)景，包括但不限于：
　　1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的同步整流。
　　2. DC/DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
　　3. 電動(dòng)工具和其他便攜式設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)。
　　4. 電池保護(hù)電路中的電子保險(xiǎn)絲。
　　5. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和汽車電子中的功率管理。
　　6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信號(hào)切換與功率控制。

替代型號(hào)

IPB040N03L G, IPP040N03L G

ipd040n03l g推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ipd040n03l g參數(shù)

  • 數(shù)據(jù)列表IPD,IPS040N03L G
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C90A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C4 毫歐 @ 30A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）2.2V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs38nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds3900pF @ 15V
  • 功率 - 最大79W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝PG-TO252-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IPD040N03LGIPD040N03LG-NDIPD040N03LGINTRIPD040N03LGXTSP000254715SP000680628