IPD046N08N5ATMA1 是一� N 溝道增強型功� MOSFET,適用于高頻開關和高效率功率轉換應用。該器件采用先進的制造工�,在低導通電阻和快速開關性能之間實現(xiàn)了良好的平衡,廣泛應用于消費電子、工�(yè)電源以及通信設備中�
型號:IPD046N08N5ATMA1
類型:N溝道 MOSFET
封裝:TO-263 (D2PAK)
最大漏源電� VDS�80V
最大柵源電� VGS:�20V
連續(xù)漏極電流 ID�46A
導通電� RDS(on)�3.7mΩ(在 VGS=10V 時)
柵極電荷 Qg�68nC
反向恢復時間 trr�39ns
工作溫度范圍�-55� � +175�
IPD046N08N5ATMA1 的主要特性包括以下幾點:
1. 極低的導通電阻(RDS(on)),可有效降低導通損��
2. 快速開關速度,適合高頻應用�
3. 高額定電流能�,能夠承受較大的負載電流�
4. 具備出色的熱�(wěn)定性和可靠�,能夠在高溫�(huán)境下正常運行�
5. 小巧� DPAK 封裝,節(jié)� PCB 空間并簡化散熱設��
6. 支持汽車級認證標準(AEC-Q101),確保其在惡劣�(huán)境下的可靠性能�
該功� MOSFET 可廣泛應用于以下領域�
1. 開關電源(SMPS)中的主開關管或同步整流��
2. 電機驅動電路中的功率開關�
3. DC-DC 轉換器中的高效功率轉換元件�
4. 工業(yè)自動化設備中的負載切換控��
5. 通信電源模塊中的功率管理單元�
6. 太陽能逆變器以及其他新能源相關設備�
IPB054N06N5G, IRF540N, STP45NF06L