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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > IPD046N08N5ATMA1

IPD046N08N5ATMA1 發(fā)布時間 時間�2025/5/29 22:30:44 查看 閱讀�13

IPD046N08N5ATMA1 是一� N 溝道增強型功� MOSFET,適用于高頻開關和高效率功率轉換應用。該器件采用先進的制造工�,在低導通電阻和快速開關性能之間實現(xiàn)了良好的平衡,廣泛應用于消費電子、工�(yè)電源以及通信設備中�

參數(shù)

型號:IPD046N08N5ATMA1
  類型:N溝道 MOSFET
  封裝:TO-263 (D2PAK)
  最大漏源電� VDS�80V
  最大柵源電� VGS:�20V
  連續(xù)漏極電流 ID�46A
  導通電� RDS(on)�3.7mΩ(在 VGS=10V 時)
  柵極電荷 Qg�68nC
  反向恢復時間 trr�39ns
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

IPD046N08N5ATMA1 的主要特性包括以下幾點:
  1. 極低的導通電阻(RDS(on)),可有效降低導通損��
  2. 快速開關速度,適合高頻應用�
  3. 高額定電流能�,能夠承受較大的負載電流�
  4. 具備出色的熱�(wěn)定性和可靠�,能夠在高溫�(huán)境下正常運行�
  5. 小巧� DPAK 封裝,節(jié)� PCB 空間并簡化散熱設��
  6. 支持汽車級認證標準(AEC-Q101),確保其在惡劣�(huán)境下的可靠性能�

應用

該功� MOSFET 可廣泛應用于以下領域�
  1. 開關電源(SMPS)中的主開關管或同步整流��
  2. 電機驅動電路中的功率開關�
  3. DC-DC 轉換器中的高效功率轉換元件�
  4. 工業(yè)自動化設備中的負載切換控��
  5. 通信電源模塊中的功率管理單元�
  6. 太陽能逆變器以及其他新能源相關設備�

替代型號

IPB054N06N5G, IRF540N, STP45NF06L

ipd046n08n5atma1推薦供應� 更多>

  • 產品型號
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ipd046n08n5atma1參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�2,425�(xiàn)�
  • 價格1 : �20.67000剪切帶(CT�2,500 : �9.47495卷帶(TR�
  • 系列OptiMOS?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�80 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)90A(Tc�
  • 驅動電壓(最� Rds On,最� Rds On�6V�10V
  • 不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)4.6 毫歐 @ 45A�10V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)3.8V @ 65μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)53 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)3800 pF @ 40 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)125W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應商器件封�PG-TO252-3
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線 + 接片�,SC-63