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IPD048N06L3G 發(fā)布時間 時間:2025/5/13 14:12:47 查看 閱讀:19

IPD048N06L3G 是一款 N 溝道增強型功率 MOSFET,采用先進的制程工藝制造,適用于各種需要高效能和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用場景。該器件具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開關(guān)速度,廣泛用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等應(yīng)用領(lǐng)域。
  該型號屬于邏輯電平系列,其柵極驅(qū)動電壓較低,非常適合電池供電設(shè)備和其他對功耗敏感的設(shè)計。

參數(shù)

最大漏源電壓(Vds):60V
  連續(xù)漏極電流(Id):48A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
  柵極閾值電壓(Vgs(th)):1.2V 至 3.0V
  總功耗(Ptot):218W
  結(jié)溫范圍(Tj):-55℃ 至 +175℃
  封裝形式:TO-247

特性

IPD048N06L3G 具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率。
  2. 高效的開關(guān)性能,支持高頻開關(guān)應(yīng)用。
  3. 較低的柵極電荷 (Qg),可降低驅(qū)動功耗。
  4. 邏輯電平兼容柵極驅(qū)動,便于與低壓控制電路集成。
  5. 提供出色的熱性能,確保在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定運行。
  6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保設(shè)計。

應(yīng)用

IPD048N06L3G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
  2. 電機驅(qū)動和控制電路。
  3. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 和保護電路。
  4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模塊。
  5. 太陽能逆變器及其他新能源相關(guān)設(shè)備。
  6. 汽車電子系統(tǒng)的功率管理部分。

替代型號

IRLB8748PBF, FDP048N06L, STP48NF06L

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