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IPD053N08N3G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/12 16:34:05 查看 閱讀：23

IPD053N08N3G 是一款 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，采用 DPAK 封裝形式。該器件廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開(kāi)關(guān)等場(chǎng)景。其低導(dǎo)通電阻特性能夠顯著降低功耗并提高效率。同時(shí)，它具有快速開(kāi)關(guān)速度和出色的熱性能。

參數(shù)

最大漏源電壓：80V
　　連續(xù)漏極電流：61A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：4.5mΩ
　　柵極電荷：72nC
　　開(kāi)關(guān)時(shí)間：ton=9ns, toff=18ns
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃至+175℃

特性

IPD053N08N3G 具有非常低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on))，這使得它在高電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色，并且可以減少熱量生成和能量損失。
　　此外，該器件的快速開(kāi)關(guān)能力使其非常適合高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用，例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
　　由于采用了先進(jìn)的制造工藝，這款 MOSFET 還具備良好的抗雪崩能力和魯棒性，能夠在異常條件下維持穩(wěn)定運(yùn)行。
　　DPAK 封裝提供了優(yōu)秀的散熱性能，便于 PCB 設(shè)計(jì)和安裝。

應(yīng)用

該芯片適用于多種工業(yè)及消費(fèi)類電子產(chǎn)品領(lǐng)域，包括但不限于：
　　- 開(kāi)關(guān)電源 (SMPS)
　　- 電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制
　　- 負(fù)載開(kāi)關(guān)
　　- 電池管理系統(tǒng) (BMS)
　　- 汽車電子中的直流電機(jī)控制
　　- 高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器

替代型號(hào)

IPW053N08N3G, IRF540N

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