IPD053N08N3G 是一款 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET,采用 DPAK 封裝形式。該器件廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開(kāi)關(guān)等場(chǎng)景。其低導(dǎo)通電阻特性能夠顯著降低功耗并提高效率。同時(shí),它具有快速開(kāi)關(guān)速度和出色的熱性能。
最大漏源電壓:80V
連續(xù)漏極電流:61A
導(dǎo)通電阻(典型值):4.5mΩ
柵極電荷:72nC
開(kāi)關(guān)時(shí)間:ton=9ns, toff=18ns
工作結(jié)溫范圍:-55℃至+175℃
IPD053N08N3G 具有非常低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),這使得它在高電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色,并且可以減少熱量生成和能量損失。
此外,該器件的快速開(kāi)關(guān)能力使其非常適合高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用,例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
由于采用了先進(jìn)的制造工藝,這款 MOSFET 還具備良好的抗雪崩能力和魯棒性,能夠在異常條件下維持穩(wěn)定運(yùn)行。
DPAK 封裝提供了優(yōu)秀的散熱性能,便于 PCB 設(shè)計(jì)和安裝。
該芯片適用于多種工業(yè)及消費(fèi)類電子產(chǎn)品領(lǐng)域,包括但不限于:
- 開(kāi)關(guān)電源 (SMPS)
- 電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制
- 負(fù)載開(kāi)關(guān)
- 電池管理系統(tǒng) (BMS)
- 汽車電子中的直流電機(jī)控制
- 高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器
IPW053N08N3G, IRF540N