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IPD055N08NF2S 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/4/27 9:08:17 查看 閱讀：26

IPD055N08NF2S是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN33封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn)，適用于多種電源管理和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其設(shè)計(jì)旨在優(yōu)化效率、減小熱損耗并提高系統(tǒng)可靠性。

參數(shù)

型號(hào)：IPD055N08NF2S
　　封裝：PDFN33 (3.3x3.3mm)
　　Vds（漏源電壓）：80V
　　Rds(on)（導(dǎo)通電阻）：5.5mΩ（典型值，在Vgs=10V條件下）
　　Id（連續(xù)漏極電流）：74A
　　Vgs（柵源電壓）：±20V
　　fT（截止頻率）：6.9MHz
　　結(jié)溫范圍：-55°C至175°C
　　功耗：25W（最大值）

特性

IPD055N08NF2S擁有非常低的導(dǎo)通電阻，這使其在高電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色，并顯著降低功率損耗。
　　其小型化的PDFN33封裝有助于節(jié)省PCB空間，非常適合于緊湊型設(shè)計(jì)需求。
　　該芯片具備良好的熱穩(wěn)定性，能夠在較高溫度范圍內(nèi)可靠運(yùn)行，確保了其在惡劣環(huán)境下的適應(yīng)能力。
　　此外，IPD055N08NF2S支持高頻開(kāi)關(guān)操作，因此非常適合用于同步整流器、DC-DC轉(zhuǎn)換器和負(fù)載開(kāi)關(guān)等場(chǎng)景。
　　它的高雪崩能力和堅(jiān)固的設(shè)計(jì)進(jìn)一步增強(qiáng)了器件的魯棒性，從而減少了故障風(fēng)險(xiǎn)。

應(yīng)用

IPD055N08NF2S廣泛應(yīng)用于各種功率電子領(lǐng)域，包括但不限于：
　　- 服務(wù)器和通信設(shè)備中的高效能電源管理
　　- 筆記本電腦適配器及充電器
　　- 汽車電子系統(tǒng)中的負(fù)載切換
　　- DC-DC轉(zhuǎn)換器和降壓/升壓電路
　　- 各類工業(yè)控制設(shè)備中的功率級(jí)驅(qū)動(dòng)
　　- 電池管理系統(tǒng)中的保護(hù)電路
　　- 多種消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源模塊

替代型號(hào)

IPD055N08NF2
　　IPP055N08N
　　IRLHS004PBF

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