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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IPD068N10N3G

IPD068N10N3G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/20 17:13:44 查看 閱讀�18

IPD068N10N3G是一款基于溝槽式MOSFET技�(shù)的高壓功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET�。該器件采用TO-220封裝,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器和DC-DC�(zhuǎn)換器等高電壓�(yīng)用領(lǐng)�。其低導(dǎo)通電阻和�(yōu)化的�(kāi)�(guān)性能能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率�

參數(shù)

型號(hào):IPD068N10N3G
  封裝:TO-220
  Vds(漏源極擊穿電壓):100V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�6.8mΩ
  Id(連續(xù)漏極電流):45A
  Qg(柵極電荷)�69nC
  Eoss(輸出電容能量損失)�47μJ
  Vgs(th)(柵極開(kāi)啟電壓)�2.5V�4.5V
  f(工作頻率):高�(dá)500kHz

特�

IPD068N10N3G具有�(yōu)異的熱特性和電氣性能�
  1. 采用先�(jìn)的溝槽式�(jié)�(gòu),使得導(dǎo)通電阻更�,從而降低了傳導(dǎo)損��
  2. 柵極電荷�,有助于�(shí)�(xiàn)更快的開(kāi)�(guān)速度和更高的工作頻率,適合高頻應(yīng)��
  3. 具有良好的雪崩能力和抗靜電性能,提高了器件在嚴(yán)苛環(huán)境下的可靠��
  4. 低寄生電感的TO-220封裝�(shè)�(jì),確保了更好的散熱效果和電氣連接�(wěn)定��
  5. 可以承受較高的瞬�(tài)電壓沖擊,適用于高電壓工�(yè)�(chǎng)景�

�(yīng)�

IPD068N10N3G適用于多種電力電子應(yīng)用場(chǎng)景:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率開(kāi)�(guān)�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,包括步�(jìn)電機(jī)、直流無(wú)刷電�(jī)等�
  3. 逆變器模�,用于太�(yáng)能發(fā)�、不間斷電源(UPS)等系統(tǒng)�
  4. DC-DC�(zhuǎn)換器,提供高效的電壓�(zhuǎn)換功��
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換控��
  6. 各類(lèi)電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保�(hù)和調(diào)節(jié)電路�

替代型號(hào)

IPW070N10N3G
  IPP076N10N3G

ipd068n10n3g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)