IPD068N10N3G 時(shí)間：2025/5/20 17:13:44 閱讀：18

IPD068N10N3G是一款基于溝槽式MOSFET技術(shù)的高壓功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）。該器件采用TO-220封裝，廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器和DC-DC轉(zhuǎn)換器等高電壓應(yīng)用領(lǐng)域。其低導(dǎo)通電阻和優(yōu)化的開(kāi)關(guān)性能能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率。

參數(shù)

型號(hào)：IPD068N10N3G
　　封裝：TO-220
　　Vds（漏源極擊穿電壓）：100V
　　Rds(on)（導(dǎo)通電阻）：6.8mΩ
　　Id（連續(xù)漏極電流）：45A
　　Qg（柵極電荷）：69nC
　　Eoss（輸出電容能量損失）：47μJ
　　Vgs(th)（柵極開(kāi)啟電壓）：2.5V～4.5V
　　f（工作頻率）：高達(dá)500kHz

特性

IPD068N10N3G具有優(yōu)異的熱特性和電氣性能。
　　1. 采用先進(jìn)的溝槽式結(jié)構(gòu)，使得導(dǎo)通電阻更低，從而降低了傳導(dǎo)損耗。
　　2. 柵極電荷小，有助于實(shí)現(xiàn)更快的開(kāi)關(guān)速度和更高的工作頻率，適合高頻應(yīng)用。
　　3. 具有良好的雪崩能力和抗靜電性能，提高了器件在嚴(yán)苛環(huán)境下的可靠性。
　　4. 低寄生電感的TO-220封裝設(shè)計(jì)，確保了更好的散熱效果和電氣連接穩(wěn)定性。
　　5. 可以承受較高的瞬態(tài)電壓沖擊，適用于高電壓工業(yè)場(chǎng)景。

應(yīng)用

IPD068N10N3G適用于多種電力電子應(yīng)用場(chǎng)景：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）中的功率開(kāi)關(guān)。
　　2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，包括步進(jìn)電機(jī)、直流無(wú)刷電機(jī)等。
　　3. 逆變器模塊，用于太陽(yáng)能發(fā)電、不間斷電源（UPS）等系統(tǒng)。
　　4. DC-DC轉(zhuǎn)換器，提供高效的電壓轉(zhuǎn)換功能。
　　5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換控制。
　　6. 各類(lèi)電池管理系統(tǒng)（BMS）中的保護(hù)和調(diào)節(jié)電路。