IPD090N03LG是一款由Infineon(英飛凌)生�(chǎn)的高壓MOSFET芯片,屬于OptiMOS?系列。該芯片采用先�(jìn)的技�(shù)制�,具有高效率、低�(dǎo)通電阻和出色的開(kāi)�(guān)性能等特�,適用于多種電力電子�(yīng)用領(lǐng)�。其封裝形式為PG-TO263-3,適合表面貼裝工�,廣泛應(yīng)用于電源適配�、電池充電器、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他高效能開(kāi)�(guān)電路��
這款MOSFET�(shè)�(jì)用于滿足�(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)能源效率的嚴(yán)格要求,同時(shí)具備較低的熱阻以確保更高的可靠性和散熱性能�
型號(hào):IPD090N03LG
VDS(漏源電壓)�30V
RDS(on)(�(dǎo)通電�)�8.5mΩ
ID(連續(xù)漏極電流)�90A
Qg(總柵極電�)�17nC
EAS(雪崩能量)�410mJ
fSW(�(kāi)�(guān)頻率):高�(dá)1MHz
工作溫度范圍�-55℃至175�
封裝形式:PG-TO263-3
IPD090N03LG具備以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻RDS(on),能夠顯著降低功率損耗�
2. 出色的開(kāi)�(guān)性能,支持高頻操�,有助于減小整體系統(tǒng)尺寸和成本�
3. 高度可靠的熱性能,使器件在高溫環(huán)境下仍能保持�(wěn)定運(yùn)行�
4. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,增�(qiáng)了芯片的抗靜電能力�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且�(wú)��
6. 高雪崩能量耐受�,提高系�(tǒng)在異常情況下的穩(wěn)定��
IPD090N03LG適用于多種電力電子應(yīng)用場(chǎng)景:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率�(zhuǎn)換級(jí)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器,包括降壓和升壓�?fù)浣Y(jié)�(gòu)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制電路�
4. 太陽(yáng)能微型逆變器和其他可再生能源轉(zhuǎn)換設(shè)備�
5. 各種工業(yè)及消�(fèi)類電子產(chǎn)品的高效�(kāi)�(guān)�(yīng)��
6. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換與保護(hù)功能�
這些�(yīng)用均得益于IPD090N03LG高效的功率處理能力和緊湊的設(shè)�(jì)特點(diǎn)�
IPB090N03L
IPP090N03L
IPW090N03L