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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IPD090N03LG

IPD090N03LG 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/13 8:53:24 查看 閱讀�24

IPD090N03LG是一款由Infineon(英飛凌)生�(chǎn)的高壓MOSFET芯片,屬于OptiMOS?系列。該芯片采用先�(jìn)的技�(shù)制�,具有高效率、低�(dǎo)通電阻和出色的開(kāi)�(guān)性能等特�,適用于多種電力電子�(yīng)用領(lǐng)�。其封裝形式為PG-TO263-3,適合表面貼裝工�,廣泛應(yīng)用于電源適配�、電池充電器、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他高效能開(kāi)�(guān)電路��
  這款MOSFET�(shè)�(jì)用于滿足�(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)能源效率的嚴(yán)格要求,同時(shí)具備較低的熱阻以確保更高的可靠性和散熱性能�

參數(shù)

型號(hào):IPD090N03LG
  VDS(漏源電壓)�30V
  RDS(on)(�(dǎo)通電�)�8.5mΩ
  ID(連續(xù)漏極電流)�90A
  Qg(總柵極電�)�17nC
  EAS(雪崩能量)�410mJ
  fSW(�(kāi)�(guān)頻率):高�(dá)1MHz
  工作溫度范圍�-55℃至175�
  封裝形式:PG-TO263-3

特�

IPD090N03LG具備以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻RDS(on),能夠顯著降低功率損耗�
  2. 出色的開(kāi)�(guān)性能,支持高頻操�,有助于減小整體系統(tǒng)尺寸和成本�
  3. 高度可靠的熱性能,使器件在高溫環(huán)境下仍能保持�(wěn)定運(yùn)行�
  4. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,增�(qiáng)了芯片的抗靜電能力�
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且�(wú)��
  6. 高雪崩能量耐受�,提高系�(tǒng)在異常情況下的穩(wěn)定��

�(yīng)�

IPD090N03LG適用于多種電力電子應(yīng)用場(chǎng)景:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率�(zhuǎn)換級(jí)�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器,包括降壓和升壓�?fù)浣Y(jié)�(gòu)�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制電路�
  4. 太陽(yáng)能微型逆變器和其他可再生能源轉(zhuǎn)換設(shè)備�
  5. 各種工業(yè)及消�(fèi)類電子產(chǎn)品的高效�(kāi)�(guān)�(yīng)��
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換與保護(hù)功能�
  這些�(yīng)用均得益于IPD090N03LG高效的功率處理能力和緊湊的設(shè)�(jì)特點(diǎn)�

替代型號(hào)

IPB090N03L
  IPP090N03L
  IPW090N03L

ipd090n03lg推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ipd090n03lg參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IP(D,F,S,U)090N03L G
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 單路
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9 毫歐 @ 30A, 10V
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C40A
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs15nC @ 10V
  • � Vds �(shí)的輸入電�(Ciss)1600pF @ 15V
  • 功率 - 最�42W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3, DPak (2 引線+接片), SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TO252-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IPD090N03LGINTR IPD090N03LGXT SP000236950