IPD096N08N3G是一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特點。該器件適用于多種電源管理應(yīng)用場�,如DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)動等。其封裝形式為SOT-223,能夠提供出色的散熱性能和可靠性�
這款功率MOSFET在設(shè)計時充分考慮了效率和功耗的平衡,適合需要高效能和緊湊設(shè)計的�(yīng)用場景。此�,IPD096N08N3G的工作電壓范圍寬廣,能夠承受較高的漏源極電壓,從而確保在�(fù)雜電路環(huán)境中的穩(wěn)定性�
型號:IPD096N08N3G
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電�(Vds)�80V
最大柵源電�(Vgs):�20V
持續(xù)漏電�(Id)�96A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�3.5mΩ(典型�,在Vgs=10V時)
總功�(Ptot)�75W
�(jié)溫范�(Tj)�-55°C�+175°C
封裝形式:SOT-223
IPD096N08N3G的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電�,僅�3.5mΩ,可顯著降低�(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高額定電流能�,支持高�(dá)96A的持�(xù)漏電�,滿足大功率�(yīng)用需��
3. 快速開�(guān)性能,具有較低的輸入電容和輸出電�,優(yōu)化了開關(guān)速度和動�(tài)響應(yīng)�
4. 寬工作電壓范�,最大漏源電壓可�(dá)80V,適�(yīng)多種電壓等級的應(yīng)��
5. 高可靠性和耐用性,�(jīng)過嚴(yán)格的�(zhì)量測�,能夠在惡劣�(huán)境下長期�(wěn)定運��
6. �(yōu)異的熱性能,得益于SOT-223封裝的設(shè)�,有助于散熱并提升整體效能�
IPD096N08N3G適用于以下應(yīng)用領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS),包括AC-DC適配器和DC-DC�(zhuǎn)換器�
2. 電池管理系統(tǒng)(BMS),用于保�(hù)電池免受過流和短路的影響�
3. 電機(jī)�(qū)�,如無刷直流電機(jī)控制和步�(jìn)電機(jī)�(qū)動�
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率級切換�
5. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
6. 可再生能源系�(tǒng)中的逆變器和�(zhuǎn)換器模塊�
7. 其他需要高性能功率開關(guān)的場�,如LED�(qū)動和音頻放大器等�
IPB096N08N3G, IPP096N08N3G