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IPD096N08N3GATMA1 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/12 21:50:48 查看 閱讀：23

IPD096N08N3GATMA1 是一款 N 灃道開關(guān)，屬于 Infineon（英飛凌）的CoolMOS系列。該器件采用了先進(jìn)的功率 MOSFET 技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn)，適用于多種高頻開關(guān)應(yīng)用。
　　這款 MOSFET 的封裝形式為 TO-247-3，具備較高的電流和電壓處理能力。其主要特點(diǎn)是能夠在高頻工作條件下保持較低的開關(guān)損耗，同時(shí)提供出色的熱性能。

參數(shù)

最大漏源電壓：80V
　　連續(xù)漏極電流：9.6A
　　導(dǎo)通電阻：15mΩ
　　柵極電荷：12nC
　　總電容：10pF
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 175℃

特性

IPD096N08N3GATMA1 提供了低導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 和優(yōu)化的開關(guān)性能，能夠顯著降低功率損耗。它還擁有快速開關(guān)速度和高能效，在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
　　此外，這款 MOSFET 具備良好的雪崩能力和抗靜電能力，確保在各種惡劣環(huán)境下可靠運(yùn)行。其 TO-247-3 封裝提供了卓越的散熱性能，有助于提高系統(tǒng)的整體效率。
　　典型應(yīng)用場(chǎng)景包括開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的設(shè)備。

應(yīng)用

該芯片廣泛應(yīng)用于工業(yè)和消費(fèi)電子領(lǐng)域中的功率轉(zhuǎn)換電路。
　　具體應(yīng)用包括但不限于：
　　1. 開關(guān)模式電源(SMPS)
　　2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器
　　3. 電機(jī)控制
　　4. 太陽能逆變器
　　5. LED 驅(qū)動(dòng)電路
　　由于其出色的高頻性能和高效率，IPD096N08N3GATMA1 成為許多設(shè)計(jì)工程師的首選。

替代型號(hào)

IPB096N08N3GATMA1
　　IPP096N08N3GATMA1

ipd096n08n3gatma1推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ipd096n08n3gatma1參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量2,500現(xiàn)貨
  • 價(jià)格1 : ￥11.13000剪切帶（CT）2,500 : ￥4.72246卷帶（TR）
  • 系列OptiMOS?
  • 包裝卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）80 V
  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)73A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）6V，10V
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）9.6 毫歐 @ 46A，10V
  • 不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）3.5V @ 46μA
  • 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）35 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）2410 pF @ 40 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）100W（Tc）
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝PG-TO252-3
  • 封裝/外殼TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63