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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IPD096N08N3GATMA1

IPD096N08N3GATMA1 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 21:50:48 查看 閱讀�23

IPD096N08N3GATMA1 是一� N 灃道開關(guān),屬� Infineon(英飛凌)的CoolMOS系列。該器件采用了先�(jìn)的功� MOSFET 技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),適用于多種高頻開關(guān)�(yīng)��
  這款 MOSFET 的封裝形式為 TO-247-3,具備較高的電流和電壓處理能�。其主要特點(diǎn)是能夠在高頻工作條件下保持較低的開關(guān)損�,同�(shí)提供出色的熱性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:80V
  連續(xù)漏極電流�9.6A
  �(dǎo)通電阻:15mΩ
  柵極電荷�12nC
  總電容:10pF
  工作溫度范圍�-55� � 175�

特�

IPD096N08N3GATMA1 提供了低�(dǎo)通電� (Rds(on)) 和優(yōu)化的開關(guān)性能,能夠顯著降低功率損�。它還擁有快速開�(guān)速度和高能效,在硬開�(guān)和軟開關(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色�
  此外,這款 MOSFET 具備良好的雪崩能力和抗靜電能力,確保在各種惡劣環(huán)境下可靠�(yùn)�。其 TO-247-3 封裝提供了卓越的散熱性能,有助于提高系統(tǒng)的整體效��
  典型�(yīng)用場(chǎng)景包括開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(shè)��

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于工業(yè)和消�(fèi)電子�(lǐng)域中的功率轉(zhuǎn)換電路�
  具體�(yīng)用包括但不限于:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)控制
  4. 太陽能逆變�
  5. LED �(qū)�(dòng)電路
  由于其出色的高頻性能和高效率,IPD096N08N3GATMA1 成為許多�(shè)�(jì)工程師的首選�

替代型號(hào)

IPB096N08N3GATMA1
  IPP096N08N3GATMA1

ipd096n08n3gatma1推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ipd096n08n3gatma1參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�2,500�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �11.13000剪切帶(CT�2,500 : �4.72246卷帶(TR�
  • 系列OptiMOS?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�80 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)73A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�6V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)9.6 毫歐 @ 46A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)3.5V @ 46μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)35 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)2410 pF @ 40 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)100W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�PG-TO252-3
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線 + 接片�,SC-63