IPD10N03B是一款高性能的MOSFET功率晶體管,采用TO-252封裝形式。該器件主要�(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各種需要高效功率控制的�(chǎng)景中。其低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性使其成為許多功率電子應(yīng)用的理想選擇�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�10A
�(dǎo)通電阻:4.5mΩ
柵極電荷�7nC
總電容:135pF
工作溫度范圍�-55℃至150�
IPD10N03B具有低導(dǎo)通電阻,可顯著降低功率損�,提升系�(tǒng)效率。同�(shí),它具備較高的開�(guān)速度,能夠減少開�(guān)�(guò)程中的能量損失,并且支持高達(dá)10安培的連續(xù)漏極電流,適用于多種高功率應(yīng)用場(chǎng)��
此外,該器件還擁有較低的柵極電荷和輸出電�,有助于�(shí)�(xiàn)更快的切換時(shí)�,從而�(jìn)一步提高系�(tǒng)的整體性能。其工作溫度范圍�-55℃到150℃,能夠在惡劣環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
IPD10N03B廣泛用于各類功率電子�(shè)備中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)
5. 各種電池管理與保�(hù)電路
6. LED�(qū)�(dòng)器及背光控制系統(tǒng)
IRLZ44N
AO3400
FDP018N03L