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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > IPD110N12N3 G

IPD110N12N3 G 發(fā)布時間 時間�2025/4/28 21:16:31 查看 閱讀�46

IPD110N12N3 G 是一� N 溝道增強型功� MOSFET,適用于高效�、高頻開關應�。該器件采用先進的制造工藝,具有低導通電阻和快速開關特�,能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。它通常用于電源管理、DC-DC 轉換�、電機驅動和負載開關等場��
  該芯片的工作電壓高達 120V,可滿足多種工業(yè)和消費類電子設備的需�。同時,其封裝形式緊�,便于設計者進行高效� PCB 布局�

參數(shù)

最大漏源電壓:120V
  連續(xù)漏極電流�110A
  導通電阻:3mΩ(典型值)
  柵極電荷�48nC(典型值)
  開關時間:ton=17ns,toff=26ns
  工作結溫范圍�-55℃至+175�
  封裝形式:TO-247

特�

IPD110N12N3 G 的主要特點是其超低的導通電�,這使其在大電流應用中表現(xiàn)出色。此�,其快速的開關速度能夠有效減少開關損�,從而提升整體效��
  該器件還具備出色的熱性能,能夠承受較高的結溫范圍,確保在極端條件下仍能穩(wěn)定運�。同�,其高雪崩能量能力增強了器件的魯棒性,適合需要可靠保護的應用場景�
  由于采用了先進的溝槽� MOSFET 技�,IPD110N12N3 G 在動�(tài)和靜�(tài)特性上均表�(xiàn)出色,為工程師提供了更高的靈活性和性能�(yōu)化空��

應用

� MOSFET 廣泛應用于各種電力電子領�,包括但不限于以下方面:
  1. 開關電源(SMPS�
  2. DC-DC 轉換�
  3. 電機驅動電路
  4. 工業(yè)自動化控�
  5. 新能源汽車中的電池管理系�(tǒng)(BMS�
  6. 太陽能逆變器和其他高效能源轉換設備
  IPD110N12N3 G 的高效率和可靠性使得它成為這些應用的理想選��

替代型號

IPW110N12N3 G, IRF1104S

ipd110n12n3 g推薦供應� 更多>

  • 產品型號
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
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  • 詢價

ipd110n12n3 g參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IPx110N12N3 G
  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)120V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C75A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11 毫歐 @ 75A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 83µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs65nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds4310pF @ 60V
  • 功率 - 最�136W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應商設備封�PG-TO252-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IPD110N12N3 G-NDIPD110N12N3 GTRSP000674466