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IPD110N12N3 G 發(fā)布時間 時間:2025/4/28 21:16:31 查看 閱讀:46

IPD110N12N3 G 是一款 N 溝道增強型功率 MOSFET,適用于高效率、高頻開關應用。該器件采用先進的制造工藝,具有低導通電阻和快速開關特性,能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。它通常用于電源管理、DC-DC 轉換器、電機驅動和負載開關等場景。
  該芯片的工作電壓高達 120V,可滿足多種工業(yè)和消費類電子設備的需求。同時,其封裝形式緊湊,便于設計者進行高效的 PCB 布局。

參數(shù)

最大漏源電壓:120V
  連續(xù)漏極電流:110A
  導通電阻:3mΩ(典型值)
  柵極電荷:48nC(典型值)
  開關時間:ton=17ns,toff=26ns
  工作結溫范圍:-55℃至+175℃
  封裝形式:TO-247

特性

IPD110N12N3 G 的主要特點是其超低的導通電阻,這使其在大電流應用中表現(xiàn)出色。此外,其快速的開關速度能夠有效減少開關損耗,從而提升整體效率。
  該器件還具備出色的熱性能,能夠承受較高的結溫范圍,確保在極端條件下仍能穩(wěn)定運行。同時,其高雪崩能量能力增強了器件的魯棒性,適合需要可靠保護的應用場景。
  由于采用了先進的溝槽式 MOSFET 技術,IPD110N12N3 G 在動態(tài)和靜態(tài)特性上均表現(xiàn)出色,為工程師提供了更高的靈活性和性能優(yōu)化空間。

應用

該 MOSFET 廣泛應用于各種電力電子領域,包括但不限于以下方面:
  1. 開關電源(SMPS)
  2. DC-DC 轉換器
  3. 電機驅動電路
  4. 工業(yè)自動化控制
  5. 新能源汽車中的電池管理系統(tǒng)(BMS)
  6. 太陽能逆變器和其他高效能源轉換設備
  IPD110N12N3 G 的高效率和可靠性使得它成為這些應用的理想選擇。

替代型號

IPW110N12N3 G, IRF1104S

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ipd110n12n3 g參數(shù)

  • 數(shù)據(jù)列表IPx110N12N3 G
  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - 單
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)120V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C75A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11 毫歐 @ 75A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 83µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs65nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds4310pF @ 60V
  • 功率 - 最大136W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
  • 供應商設備封裝PG-TO252-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IPD110N12N3 G-NDIPD110N12N3 GTRSP000674466