時間：2025/4/28 21:16:31
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IPD110N12N3 G 是一款 N 溝道增強型功率 MOSFET，適用于高效率、高頻開關應用。該器件采用先進的制造工藝，具有低導通電阻和快速開關特性，能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。它通常用于電源管理、DC-DC 轉換器、電機驅動和負載開關等場景。
該芯片的工作電壓高達 120V，可滿足多種工業(yè)和消費類電子設備的需求。同時，其封裝形式緊湊，便于設計者進行高效的 PCB 布局。
最大漏源電壓：120V
連續(xù)漏極電流：110A
導通電阻：3mΩ（典型值）
柵極電荷：48nC（典型值）
開關時間：ton=17ns，toff=26ns
工作結溫范圍：-55℃至+175℃
封裝形式：TO-247
IPD110N12N3 G 的主要特點是其超低的導通電阻，這使其在大電流應用中表現(xiàn)出色。此外，其快速的開關速度能夠有效減少開關損耗，從而提升整體效率。
該器件還具備出色的熱性能，能夠承受較高的結溫范圍，確保在極端條件下仍能穩(wěn)定運行。同時，其高雪崩能量能力增強了器件的魯棒性，適合需要可靠保護的應用場景。
由于采用了先進的溝槽式 MOSFET 技術，IPD110N12N3 G 在動態(tài)和靜態(tài)特性上均表現(xiàn)出色，為工程師提供了更高的靈活性和性能優(yōu)化空間。
該 MOSFET 廣泛應用于各種電力電子領域，包括但不限于以下方面：
1. 開關電源（SMPS）
2. DC-DC 轉換器
3. 電機驅動電路
4. 工業(yè)自動化控制
5. 新能源汽車中的電池管理系統(tǒng)（BMS）
6. 太陽能逆變器和其他高效能源轉換設備
IPD110N12N3 G 的高效率和可靠性使得它成為這些應用的理想選擇。
IPW110N12N3 G, IRF1104S
