IPD110N12N3 G 是一� N 溝道增強型功� MOSFET,適用于高效�、高頻開關應�。該器件采用先進的制造工藝,具有低導通電阻和快速開關特�,能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。它通常用于電源管理、DC-DC 轉換�、電機驅動和負載開關等場��
該芯片的工作電壓高達 120V,可滿足多種工業(yè)和消費類電子設備的需�。同時,其封裝形式緊�,便于設計者進行高效� PCB 布局�
最大漏源電壓:120V
連續(xù)漏極電流�110A
導通電阻:3mΩ(典型值)
柵極電荷�48nC(典型值)
開關時間:ton=17ns,toff=26ns
工作結溫范圍�-55℃至+175�
封裝形式:TO-247
IPD110N12N3 G 的主要特點是其超低的導通電�,這使其在大電流應用中表現(xiàn)出色。此�,其快速的開關速度能夠有效減少開關損�,從而提升整體效��
該器件還具備出色的熱性能,能夠承受較高的結溫范圍,確保在極端條件下仍能穩(wěn)定運�。同�,其高雪崩能量能力增強了器件的魯棒性,適合需要可靠保護的應用場景�
由于采用了先進的溝槽� MOSFET 技�,IPD110N12N3 G 在動�(tài)和靜�(tài)特性上均表�(xiàn)出色,為工程師提供了更高的靈活性和性能�(yōu)化空��
� MOSFET 廣泛應用于各種電力電子領�,包括但不限于以下方面:
1. 開關電源(SMPS�
2. DC-DC 轉換�
3. 電機驅動電路
4. 工業(yè)自動化控�
5. 新能源汽車中的電池管理系�(tǒng)(BMS�
6. 太陽能逆變器和其他高效能源轉換設備
IPD110N12N3 G 的高效率和可靠性使得它成為這些應用的理想選��
IPW110N12N3 G, IRF1104S