IPD110N12N3 G 是一款 N 溝道增強型功率 MOSFET,適用于高效率、高頻開關應用。該器件采用先進的制造工藝,具有低導通電阻和快速開關特性,能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。它通常用于電源管理、DC-DC 轉換器、電機驅動和負載開關等場景。
該芯片的工作電壓高達 120V,可滿足多種工業(yè)和消費類電子設備的需求。同時,其封裝形式緊湊,便于設計者進行高效的 PCB 布局。
最大漏源電壓:120V
連續(xù)漏極電流:110A
導通電阻:3mΩ(典型值)
柵極電荷:48nC(典型值)
開關時間:ton=17ns,toff=26ns
工作結溫范圍:-55℃至+175℃
封裝形式:TO-247
IPD110N12N3 G 的主要特點是其超低的導通電阻,這使其在大電流應用中表現(xiàn)出色。此外,其快速的開關速度能夠有效減少開關損耗,從而提升整體效率。
該器件還具備出色的熱性能,能夠承受較高的結溫范圍,確保在極端條件下仍能穩(wěn)定運行。同時,其高雪崩能量能力增強了器件的魯棒性,適合需要可靠保護的應用場景。
由于采用了先進的溝槽式 MOSFET 技術,IPD110N12N3 G 在動態(tài)和靜態(tài)特性上均表現(xiàn)出色,為工程師提供了更高的靈活性和性能優(yōu)化空間。
該 MOSFET 廣泛應用于各種電力電子領域,包括但不限于以下方面:
1. 開關電源(SMPS)
2. DC-DC 轉換器
3. 電機驅動電路
4. 工業(yè)自動化控制
5. 新能源汽車中的電池管理系統(tǒng)(BMS)
6. 太陽能逆變器和其他高效能源轉換設備
IPD110N12N3 G 的高效率和可靠性使得它成為這些應用的理想選擇。
IPW110N12N3 G, IRF1104S