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IPD122N10N3 G 發(fā)布時間 時間:2025/5/23 5:53:51 查看 閱讀:16

IPD122N10N3 G 是一款高性能的 N 沃特型功率場效應(yīng)晶體管 (N-Channel Power MOSFET),廣泛應(yīng)用于高效率開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動和負載開關(guān)等場景。該器件采用先進的溝槽式技術(shù)制造,具備低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點,能夠在高頻應(yīng)用中實現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換。
  這款 MOSFET 的封裝形式為 DPAK (TO-252),具有出色的散熱性能和緊湊的設(shè)計,適合于空間受限的應(yīng)用場合。

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  連續(xù)漏極電流:168A
  導(dǎo)通電阻:1.7mΩ
  柵極電荷:49nC
  開關(guān)頻率:高達 1MHz
  工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C

特性

1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少導(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率。
  2. 快速的開關(guān)速度和較低的柵極電荷,適合高頻應(yīng)用。
  3. 高雪崩能力,增強在異常情況下的耐用性。
  4. 緊湊的 DPAK 封裝,提供良好的散熱性能。
  5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且可靠。
  6. 具有較高的電流承載能力,支持大功率設(shè)計。

應(yīng)用

1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
  2. 各類電機驅(qū)動和控制電路。
  3. 負載開關(guān)和保護電路。
  4. 太陽能逆變器和工業(yè)電源模塊。
  5. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的充放電控制。
  6. 汽車電子中的高可靠性功率切換應(yīng)用。

替代型號

IPD110N10N3G, IPD130N10N3G, IRFZ44N

ipd122n10n3 g推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ipd122n10n3 g參數(shù)

  • 數(shù)據(jù)列表IPD122N10N3 G
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C59A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12.2 毫歐 @ 46A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3.5V @ 46µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs35nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2500pF @ 50V
  • 功率 - 最大94W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝PG-TO252-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IPD122N10N3 G-NDSP000485966