IPD122N10N3 G 是一款高性能的 N 沃特型功率場效應(yīng)晶體管 (N-Channel Power MOSFET),廣泛應(yīng)用于高效率開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動和負載開關(guān)等場景。該器件采用先進的溝槽式技術(shù)制造,具備低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點,能夠在高頻應(yīng)用中實現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換。
這款 MOSFET 的封裝形式為 DPAK (TO-252),具有出色的散熱性能和緊湊的設(shè)計,適合于空間受限的應(yīng)用場合。
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流:168A
導(dǎo)通電阻:1.7mΩ
柵極電荷:49nC
開關(guān)頻率:高達 1MHz
工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少導(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 快速的開關(guān)速度和較低的柵極電荷,適合高頻應(yīng)用。
3. 高雪崩能力,增強在異常情況下的耐用性。
4. 緊湊的 DPAK 封裝,提供良好的散熱性能。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且可靠。
6. 具有較高的電流承載能力,支持大功率設(shè)計。
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
2. 各類電機驅(qū)動和控制電路。
3. 負載開關(guān)和保護電路。
4. 太陽能逆變器和工業(yè)電源模塊。
5. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的充放電控制。
6. 汽車電子中的高可靠性功率切換應(yīng)用。
IPD110N10N3G, IPD130N10N3G, IRFZ44N