IPD180N10N3 G是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),適用于高效率開(kāi)�(guān)�(yīng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和�(yōu)異的�(kāi)�(guān)性能,適合用于各種功率轉(zhuǎn)換電路�
這款MOSFET廣泛�(yīng)用于DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開(kāi)�(guān)以及電池管理等領(lǐng)�。其封裝形式為TO-220,便于散熱和安裝�
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�18A
�(dǎo)通電阻(典型值)�4.5mΩ
柵極電荷�45nC
�(kāi)�(guān)速度:快�
工作溫度范圍�-55℃至+175�
1. 極低的導(dǎo)通電�,能夠有效降低功率損耗�
2. 高雪崩能�,增�(qiáng)了器件在異常情況下的耐用性�
3. 快速開(kāi)�(guān)特�,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
4. 具有良好的熱�(wěn)定性和可靠�,能夠在極端溫度范圍�(nèi)正常工作�
5. 封裝�(shè)�(jì)�(yōu)化了散熱性能,確保長(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行時(shí)的穩(wěn)定性�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全可靠�
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率開(kāi)�(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流元件�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率控制器件�
4. 各類�(fù)載開(kāi)�(guān)�(yīng)用�
5. 電池保護(hù)和管理系�(tǒng)中的�(guān)鍵組��
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率級(jí)控制元件�
IPD150N10N3 G, IPB150N10N3 G