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IPD180N10N3 G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/9 14:13:31 查看 閱讀：35

IPD180N10N3 G是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），適用于高效率開(kāi)關(guān)應(yīng)用。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝，具有較低的導(dǎo)通電阻和優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能，適合用于各種功率轉(zhuǎn)換電路。
　　這款MOSFET廣泛應(yīng)用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開(kāi)關(guān)以及電池管理等領(lǐng)域。其封裝形式為TO-220，便于散熱和安裝。

參數(shù)

最大漏源電壓：100V
　　連續(xù)漏極電流：18A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：4.5mΩ
　　柵極電荷：45nC
　　開(kāi)關(guān)速度：快速
　　工作溫度范圍：-55℃至+175℃

特性

1. 極低的導(dǎo)通電阻，能夠有效降低功率損耗。
　　2. 高雪崩能力，增強(qiáng)了器件在異常情況下的耐用性。
　　3. 快速開(kāi)關(guān)特性，適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
　　4. 具有良好的熱穩(wěn)定性和可靠性，能夠在極端溫度范圍內(nèi)正常工作。
　　5. 封裝設(shè)計(jì)優(yōu)化了散熱性能，確保長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行時(shí)的穩(wěn)定性。
　　6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且安全可靠。

應(yīng)用

1. 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）中的功率開(kāi)關(guān)。
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流元件。
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率控制器件。
　　4. 各類負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
　　5. 電池保護(hù)和管理系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件。
　　6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率級(jí)控制元件。

替代型號(hào)

IPD150N10N3 G, IPB150N10N3 G

ipd180n10n3 g推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ipd180n10n3 g參數(shù)

  • 數(shù)據(jù)列表IPD180N10N3 G
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C43A
  • 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C18 毫歐 @ 33A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）3.5V @ 33µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs25nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1800pF @ 50V
  • 功率 - 最大71W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝PG-TO252-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IPD180N10N3 G-NDSP000482438