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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IPD180N10N3 G

IPD180N10N3 G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/9 14:13:31 查看 閱讀�35

IPD180N10N3 G是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),適用于高效率開(kāi)�(guān)�(yīng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和�(yōu)異的�(kāi)�(guān)性能,適合用于各種功率轉(zhuǎn)換電路�
  這款MOSFET廣泛�(yīng)用于DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開(kāi)�(guān)以及電池管理等領(lǐng)�。其封裝形式為TO-220,便于散熱和安裝�

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  連續(xù)漏極電流�18A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�4.5mΩ
  柵極電荷�45nC
  �(kāi)�(guān)速度:快�
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

1. 極低的導(dǎo)通電�,能夠有效降低功率損耗�
  2. 高雪崩能�,增�(qiáng)了器件在異常情況下的耐用性�
  3. 快速開(kāi)�(guān)特�,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
  4. 具有良好的熱�(wěn)定性和可靠�,能夠在極端溫度范圍�(nèi)正常工作�
  5. 封裝�(shè)�(jì)�(yōu)化了散熱性能,確保長(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行時(shí)的穩(wěn)定性�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全可靠�

�(yīng)�

1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率開(kāi)�(guān)�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流元件�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率控制器件�
  4. 各類�(fù)載開(kāi)�(guān)�(yīng)用�
  5. 電池保護(hù)和管理系�(tǒng)中的�(guān)鍵組��
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率級(jí)控制元件�

替代型號(hào)

IPD150N10N3 G, IPB150N10N3 G

ipd180n10n3 g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ipd180n10n3 g參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IPD180N10N3 G
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C43A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C18 毫歐 @ 33A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3.5V @ 33µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs25nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1800pF @ 50V
  • 功率 - 最�71W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TO252-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IPD180N10N3 G-NDSP000482438