IPD180N10N3 G是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),適用于高效率開(kāi)關(guān)應(yīng)用。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝,具有較低的導(dǎo)通電阻和優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能,適合用于各種功率轉(zhuǎn)換電路。
這款MOSFET廣泛應(yīng)用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開(kāi)關(guān)以及電池管理等領(lǐng)域。其封裝形式為TO-220,便于散熱和安裝。
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流:18A
導(dǎo)通電阻(典型值):4.5mΩ
柵極電荷:45nC
開(kāi)關(guān)速度:快速
工作溫度范圍:-55℃至+175℃
1. 極低的導(dǎo)通電阻,能夠有效降低功率損耗。
2. 高雪崩能力,增強(qiáng)了器件在異常情況下的耐用性。
3. 快速開(kāi)關(guān)特性,適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
4. 具有良好的熱穩(wěn)定性和可靠性,能夠在極端溫度范圍內(nèi)正常工作。
5. 封裝設(shè)計(jì)優(yōu)化了散熱性能,確保長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行時(shí)的穩(wěn)定性。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且安全可靠。
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的功率開(kāi)關(guān)。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流元件。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率控制器件。
4. 各類負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
5. 電池保護(hù)和管理系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件。
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率級(jí)控制元件。
IPD150N10N3 G, IPB150N10N3 G