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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IPD200N15N3G

IPD200N15N3G 發(fā)布時間 時間�2025/5/14 18:51:58 查看 閱讀�27

IPD200N15N3G是一款高性能的MOSFET功率晶體管,由Infineon Technologies(英飛凌科技)生�(chǎn)。該器件屬于CoolMOS系列,采用N溝道增強型技�(shù)�(shè)�,主要適用于高頻開關(guān)�(yīng)用和功率�(zhuǎn)換電�。其出色的開�(guān)特性和較低的導(dǎo)通電阻使得該器件在電源管�、電機驅(qū)動以及電信設(shè)備等場景中表�(xiàn)�(yōu)異�

參數(shù)

最大漏源電壓:150V
  連續(xù)漏極電流�200A
  �(dǎo)通電阻:4.6mΩ(典型�,VGS=10V時)
  柵極電荷�85nC(最大值,VDS=150V,ID=100A時)
  開關(guān)頻率:高�1MHz
  �(jié)溫范圍:-55℃至175�
  封裝形式:G-TOP-289-2

特�

IPD200N15N3G具有非常低的�(dǎo)通電阻,能夠在高電流條件下提供高效的功率�(zhuǎn)�,減少能量損��
  其優(yōu)化的柵極電荷�(shè)計使其具備快速的開關(guān)速度,從而降低開�(guān)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  該器件支持較高的工作溫度范圍,能夠適�(yīng)惡劣的工作環(huán)��
  �(nèi)置反向恢�(fù)二極管,進一步提升性能并簡化電路設(shè)��
  采用了先進的溝槽式MOSFET技�(shù),確保了更高的可靠性和�(wěn)定��

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于各種高功率密度的場合,包括但不限于服�(wù)器電�、通信基站電源、不間斷電源(UPS�、工�(yè)逆變器、焊接設(shè)�、電機驅(qū)動控制以及電動汽車充電站等。此�,它還適用于DC-DC�(zhuǎn)換器、PFC(功率因�(shù)校正)電路以及其他需要高效功率管理的�(lǐng)��

替代型號

IPD150N15N3G, IPW200N15N3G

ipd200n15n3g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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