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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IPD25N06S4L-30

IPD25N06S4L-30 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 8:48:12 查看 閱讀�27

IPD25N06S4L-30 是一款基于溝槽柵場效�(yīng)技�(shù)� N 溝道功率 MOSFET。該器件具有低導(dǎo)通電� (Rds(on)) 和高開關(guān)速度的特�(diǎn),適用于各種高效的電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)動應(yīng)�。其額定電壓� 60V,最大連續(xù)漏極電流可達(dá) 25A,封裝形式為 SuperSO8。這種 MOSFET 以其出色的熱性能和電氣特�,在汽車電子、工�(yè)�(shè)備和消費(fèi)類電子產(chǎn)品中廣泛使用�
  IPD25N06S4L-30 的設(shè)�(jì)目標(biāo)是優(yōu)化開�(guān)損耗和�(dǎo)通損耗之間的平衡,從而提高整體系�(tǒng)效率。同�(shí),該器件采用無鉛 (Pb-free) 封裝,符� RoHS �(biāo)�(zhǔn)�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大連續(xù)漏極電流�25A
  �(dǎo)通電� (Rds(on))�4.5mΩ 典型�
  柵極電荷 (Qg)�21nC 典型�
  輸入電容 (Ciss)�1750pF 典型�
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝類型:SuperSO8

特�

1. 超低�(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)能力,能夠適�(yīng)高頻�(yīng)用場�,降低開�(guān)損��
  3. �(qiáng)大的散熱性能,支持高功率密度�(shè)�(jì)�
  4. 符合 AEC-Q101 �(biāo)�(zhǔn),確保在�(yán)苛環(huán)境下的可靠��
  5. 支持高側(cè)和低�(cè)開關(guān)�(yīng)�,靈活性強(qiáng)�
  6. 良好的抗雪崩能力� ESD 保護(hù)功能,提高了系統(tǒng)的魯棒��

�(yīng)�

1. 開關(guān)模式電源 (SMPS),包� DC/DC �(zhuǎn)換器� PFC(功率因�(shù)校正)電��
  2. 電機(jī)�(qū)動器,例如步�(jìn)電機(jī)、無刷直流電�(jī) (BLDC) 和有刷直流電�(jī)�
  3. 工業(yè)逆變器和不間斷電� (UPS) 系統(tǒng)�
  4. 汽車電子控制單元 (ECU) 和車身控制模� (BCM) 中的�(fù)載切��
  5. LED 照明�(qū)動電路中的恒流控��
  6. 各種電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的充放電控��

替代型號

IRF540N, STP25NF06L

ipd25n06s4l-30推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

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ipd25n06s4l-30參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IPD25N06S4L-30
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C25A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C30 毫歐 @ 25A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.2V @ 8µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs16.3nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1220pF @ 25V
  • 功率 - 最�29W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TO252-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SP000481508