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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IPD30N03S4L-09

IPD30N03S4L-09 發(fā)布時間 時間�2025/4/30 18:50:14 查看 閱讀�40

IPD30N03S4L-09是一款由英飛凌(Infineon)推出的N溝道功率MOSFET,采用PDFN封裝形式。該器件主要針對低電�、高效能的應(yīng)用場合設(shè)�,具有極低的�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�。它廣泛�(yīng)用于消費電子、工�(yè)�(shè)備以及通信�(lǐng)域的電源管理電路��
  該芯片特別適合用于負(fù)載開�(guān)、同步整流器、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電池管理系統(tǒng)等應(yīng)�。其出色的電氣性能使其能夠在高效率和高密度的設(shè)計中�(fā)揮重要作��

參數(shù)

型號:IPD30N03S4L-09
  封裝:PDFN5x6-8L
  額定電壓�30V
  額定電流�12A
  �(dǎo)通電阻:0.85mΩ
  柵極電荷�10nC
  最大功耗:1.2W
  工作溫度范圍�-55℃至175�
  存儲溫度范圍�-65℃至150�

特�

IPD30N03S4L-09具備以下�(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),僅為0.85mΩ,有助于降低�(dǎo)通損�,提升整體系�(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)性能,柵極電荷低�10nC,可減少開關(guān)過程中的能量損失�
  3. 高結(jié)溫能力,最高可�(dá)175�,增強了器件在極端環(huán)境下的可靠性�
  4. 小型化PDFN封裝,節(jié)省PCB空間,非常適合緊湊型�(shè)��
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且無鉛�
  6. 支持高頻開關(guān)操作,適用于多種電源管理和功率轉(zhuǎn)換場��
  7. 熱增強型封裝�(shè)�,確保散熱性能�(yōu)異�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 消費類電子產(chǎn)品中的電源適配器和充電器�
  2. 工業(yè)�(shè)備中的電機驅(qū)動和�(fù)載控制�
  3. 同步整流電路,特別是在DC-DC�(zhuǎn)換器中�
  4. 電池保護與管理系�(tǒng)(BMS��
  5. �(fù)載開�(guān)及過流保護電路�
  6. 通信基礎(chǔ)�(shè)施中的電源模��
  由于其卓越的性能,IPD30N03S4L-09成為許多高性能、低功耗應(yīng)用的理想選擇�

替代型號

IPD20N03S4L-09, IPD40N03S4L-09

ipd30n03s4l-09推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

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ipd30n03s4l-09參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IPD30N03S4L-09
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C30A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9 毫歐 @ 30A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 13µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1520pF @ 15V
  • 功率 - 最�42W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TO252-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IPD30N03S4L-09-NDIPD30N03S4L-09INTRSP000415578