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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IPD30N06S3L-20

IPD30N06S3L-20 發(fā)布時間 時間�2025/6/4 18:03:14 查看 閱讀�10

IPD30N06S3L-20是一款高性能的MOSFET(金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管)器件,由Infineon Technologies生產(chǎn)。該器件采用Trench技�(shù)制造,具有低導通電阻和高效率的特點,適用于多種開關(guān)�(yīng)用場�。其額定電壓�60V,連續(xù)漏極電流可達30A,封裝形式為TO-220FP�
  該型號中的IPD代表Infineon Power Device系列,�30N06表示30A�60V的N溝道MOSFET。后綴S3L-20則指代特定的�(chǎn)品改進版本和封裝形式�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�30A
  導通電阻(典型值)�4.5mΩ
  柵極電荷(典型值)�71nC
  總電容(輸入電容):1250pF
  開關(guān)速度:快�
  工作溫度范圍�-55℃至+175�
  封裝形式:TO-220FP

特�

�(yīng)�

IPD30N06S3L-20廣泛�(yīng)用于以下場景�
  1. 開關(guān)電源(SMPS)和DC-DC�(zhuǎn)換器�
  2. 電動工具和家用電器中的電機驅(qū)��
  3. 汽車電子系統(tǒng),例如啟動馬�、燃油泵控制��
  4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模��
  5. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)的功率調(diào)節(jié)單元�
  由于其出色的電氣特性和可靠性,這款MOSFET非常適合需要高�、緊湊和�(wěn)定的功率處理解決方案的應(yīng)用場��

替代型號

IPD30N06S3L, IRF3205, FDP30N06L

ipd30n06s3l-20推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ipd30n06s3l-20參數(shù)

  • 制造商Infineon
  • �(chǎn)品種�MOSFET
  • 晶體管極�N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓55 V
  • �/源擊穿電�+/- 16 V
  • 漏極連續(xù)電流30 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)20 m Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作溫�+ 175 C
  • 安裝風格SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體TO-252
  • 封裝Reel
  • 下降時間74 ns
  • 最小工作溫�- 55 C
  • 功率耗散45 W
  • 上升時間34 ns
  • 典型�(guān)閉延遲時�43 ns
  • 零件號別�IPD30N06S3L20XT