時間：2025/5/10 14:48:42
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IPD380P06NM 是一款高性能的 N 沃特功率 MOSFET，采用先進(jìn)的制程工藝制造。該器件適用于高效率開關(guān)電源、電機驅(qū)動和負(fù)載切換等應(yīng)用。它具有低導(dǎo)通電阻（Rds(on)）、快速開關(guān)速度和高電流處理能力等特點，能夠顯著提升系統(tǒng)的效率并降低功耗。
該產(chǎn)品屬于 Infineon 的 P溝道 MOSFET 系列，主要面向汽車電子和工業(yè)控制領(lǐng)域，具備優(yōu)異的熱性能和可靠性。
類型：P溝道 MOSFET
最大漏源電壓(Vds)：60V
最大柵源電壓(Vgs)：±20V
連續(xù)漏極電流(Id)：-38A
導(dǎo)通電阻(Rds(on))：4.5mΩ (典型值，在 Vgs=-4.5V 時)
柵極電荷(Qg)：17nC (典型值)
總功耗(Ptot)：185W
結(jié)溫范圍(Tj)：-55℃ 至 +175℃
封裝形式：TO-Leadless (TOLL)
IPD380P06NM 提供了非常低的導(dǎo)通電阻，這使得其在高電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色，并且減少了功率損耗。此外，它的快速開關(guān)能力和低柵極電荷有助于減少開關(guān)損耗，提高系統(tǒng)整體效率。
這款器件還具有出色的雪崩能力和抗靜電能力，能夠在嚴(yán)苛的工作條件下保持穩(wěn)定運行。得益于其 TO-Leadless 封裝，IPD380P06NM 可以實現(xiàn)高效的散熱管理，同時支持表面貼裝技術(shù)(SMT)，從而簡化了生產(chǎn)流程并提高了可靠性。
由于采用了 Infineon 的先進(jìn)設(shè)計，該器件在動態(tài)性能和靜態(tài)性能之間達(dá)到了良好的平衡，使其成為多種高壓和大電流應(yīng)用場景的理想選擇。
IPD380P06NM 主要用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源中的同步整流
2. 工業(yè)設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)
3. 電動工具和家用電器的電機驅(qū)動
4. 汽車電子中的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護(hù)電路
6. 高效功率轉(zhuǎn)換模塊
這些應(yīng)用充分利用了 IPD380P06NM 的低導(dǎo)通電阻、高效率和緊湊封裝優(yōu)勢。
IPB380P06N4L, IRF9540NPbF, FDP067N06L
