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IPD380P06NM 發(fā)布時間 時間:2025/5/10 14:48:42 查看 閱讀:21

IPD380P06NM 是一款高性能的 N 沃特功率 MOSFET,采用先進(jìn)的制程工藝制造。該器件適用于高效率開關(guān)電源、電機驅(qū)動和負(fù)載切換等應(yīng)用。它具有低導(dǎo)通電阻(Rds(on))、快速開關(guān)速度和高電流處理能力等特點,能夠顯著提升系統(tǒng)的效率并降低功耗。
  該產(chǎn)品屬于 Infineon 的 P溝道 MOSFET 系列,主要面向汽車電子和工業(yè)控制領(lǐng)域,具備優(yōu)異的熱性能和可靠性。

參數(shù)

類型:P溝道 MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):60V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):-38A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ (典型值,在 Vgs=-4.5V 時)
  柵極電荷(Qg):17nC (典型值)
  總功耗(Ptot):185W
  結(jié)溫范圍(Tj):-55℃ 至 +175℃
  封裝形式:TO-Leadless (TOLL)

特性

IPD380P06NM 提供了非常低的導(dǎo)通電阻,這使得其在高電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色,并且減少了功率損耗。此外,它的快速開關(guān)能力和低柵極電荷有助于減少開關(guān)損耗,提高系統(tǒng)整體效率。
  這款器件還具有出色的雪崩能力和抗靜電能力,能夠在嚴(yán)苛的工作條件下保持穩(wěn)定運行。得益于其 TO-Leadless 封裝,IPD380P06NM 可以實現(xiàn)高效的散熱管理,同時支持表面貼裝技術(shù)(SMT),從而簡化了生產(chǎn)流程并提高了可靠性。
  由于采用了 Infineon 的先進(jìn)設(shè)計,該器件在動態(tài)性能和靜態(tài)性能之間達(dá)到了良好的平衡,使其成為多種高壓和大電流應(yīng)用場景的理想選擇。

應(yīng)用

IPD380P06NM 主要用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源中的同步整流
  2. 工業(yè)設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)
  3. 電動工具和家用電器的電機驅(qū)動
  4. 汽車電子中的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護(hù)電路
  6. 高效功率轉(zhuǎn)換模塊
  這些應(yīng)用充分利用了 IPD380P06NM 的低導(dǎo)通電阻、高效率和緊湊封裝優(yōu)勢。

替代型號

IPB380P06N4L, IRF9540NPbF, FDP067N06L

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