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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IPD50N06S2-14

IPD50N06S2-14 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/20 19:04:21 查看 閱讀�20

IPD50N06S2-14是一款高性能的MOSFET功率晶體�,采用先�(jìn)的工藝制造,具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�。該器件主要�(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、開(kāi)�(guān)電源等場(chǎng)景,能夠有效提升系統(tǒng)效率并降低能��
  這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型器件,適用于高頻率�(kāi)�(guān)�(yīng)用,其封裝形式為T(mén)O-220,適合表面貼裝和通孔安裝,從而為�(shè)�(jì)提供了靈活��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大連續(xù)漏極電流�50A
  �(dǎo)通電阻:4mΩ
  柵極電荷�37nC
  �(kāi)�(guān)速度:超�
  工作溫度范圍�-55� to 150�
  封裝形式:TO-220

特�

IPD50N06S2-14具備非常低的�(dǎo)通電�,僅�4mΩ,這有助于減少�(dǎo)通損�,提高整體效率。同�(shí),它的柵極電荷較�,僅�37nC,從而實(shí)�(xiàn)更快的開(kāi)�(guān)速度,適合高頻應(yīng)��
  此外,該器件的工作溫度范圍較寬,能夠在極端環(huán)境下保持�(wěn)定性能。其封裝形式TO-220不僅散熱性能良好,而且兼容性高,方便在不同電路�(shè)�(jì)中使用�
  �(duì)于需要高效能和高可靠性的�(yīng)�,IPD50N06S2-14是一�(gè)理想的選擇,特別適合于需要大電流處理能力的場(chǎng)��

�(yīng)�

IPD50N06S2-14廣泛�(yīng)用于各種功率�(zhuǎn)換和控制�(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
  - �(kāi)�(guān)電源(SMPS)
  - 直流-直流�(zhuǎn)換器(DC-DC Converter)
  - 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
  - 電池保護(hù)與管�
  - 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率模�
  - 汽車(chē)電子中的�(fù)載切�
  由于其出色的電氣特性和可靠性,該器件在許多高性能要求的應(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)��

替代型號(hào)

IRF540N
  STP50NF06L
  FDP50N06L

ipd50n06s2-14推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • �(chǎng)�
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

ipd50n06s2-14參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IPD50N06S2-14
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)55V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C50A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C14.4 毫歐 @ 32A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 80µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs52nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1485pF @ 25V
  • 功率 - 最�136W
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線(xiàn)+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TO252-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)SP000252171