IPD50N06S4L12ATMA2 是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)的MOSFET功率晶體�。該器件采用TOLL封裝,具有低導通電阻和高效率的特點,適合用于各種開關電�、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機�(qū)動等應用中。它屬于OptiMOS系列,專為工�(yè)和汽車領域設�,提供卓越的性能和可靠��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�50A
導通電阻(典型值)�1.2mΩ
柵極電荷(典型值)�75nC
開關頻率:高�1MHz
結溫范圍�-55℃至175�
封裝形式:TOLL
IPD50N06S4L12ATMA2 的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻,有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高度�(yōu)化的柵極電荷,支持快速開關操��
3. 提供出色的熱性能,確保在高功率應用中的穩(wěn)定��
4. 符合汽車級標準(AEC-Q101�,適用于嚴苛的工作環(huán)��
5. �(nèi)置ESD保護功能,增強抗干擾能力�
6. 小型化TOLL封裝設計,便于PCB布局與散熱管��
該芯片廣泛應用于以下領域�
1. 開關電源(SMPS)中的主開關管或同步整流管�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率元��
3. 電動工具、機器人及工�(yè)自動化設備中的電機驅(qū)��
4. 新能源汽車中的逆變器和車載充電��
5. 各種需要高效能功率開關的應用場��
IPW50R1K8CEBA02ATMA1, IPB50N06S4L12ATMA1