IPD50N06S4L12ATMA2 是一款由英飛凌(Infineon)生產(chǎn)的MOSFET功率晶體管。該器件采用TOLL封裝,具有低導通電阻和高效率的特點,適合用于各種開關電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電機驅(qū)動等應用中。它屬于OptiMOS系列,專為工業(yè)和汽車領域設計,提供卓越的性能和可靠性。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:50A
導通電阻(典型值):1.2mΩ
柵極電荷(典型值):75nC
開關頻率:高達1MHz
結溫范圍:-55℃至175℃
封裝形式:TOLL
IPD50N06S4L12ATMA2 的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻,有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 高度優(yōu)化的柵極電荷,支持快速開關操作。
3. 提供出色的熱性能,確保在高功率應用中的穩(wěn)定性。
4. 符合汽車級標準(AEC-Q101),適用于嚴苛的工作環(huán)境。
5. 內(nèi)置ESD保護功能,增強抗干擾能力。
6. 小型化TOLL封裝設計,便于PCB布局與散熱管理。
該芯片廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)中的主開關管或同步整流管。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器的核心功率元件。
3. 電動工具、機器人及工業(yè)自動化設備中的電機驅(qū)動。
4. 新能源汽車中的逆變器和車載充電器。
5. 各種需要高效能功率開關的應用場景。
IPW50R1K8CEBA02ATMA1, IPB50N06S4L12ATMA1