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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IPD50N06S4L12ATMA2

IPD50N06S4L12ATMA2 發(fā)布時間 時間�2025/4/30 10:01:46 查看 閱讀�33

IPD50N06S4L12ATMA2 是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)的MOSFET功率晶體�。該器件采用TOLL封裝,具有低導通電阻和高效率的特點,適合用于各種開關電�、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機�(qū)動等應用中。它屬于OptiMOS系列,專為工�(yè)和汽車領域設�,提供卓越的性能和可靠��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�50A
  導通電阻(典型值)�1.2mΩ
  柵極電荷(典型值)�75nC
  開關頻率:高�1MHz
  結溫范圍�-55℃至175�
  封裝形式:TOLL

特�

IPD50N06S4L12ATMA2 的主要特性包括:
  1. 極低的導通電阻,有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高度�(yōu)化的柵極電荷,支持快速開關操��
  3. 提供出色的熱性能,確保在高功率應用中的穩(wěn)定��
  4. 符合汽車級標準(AEC-Q101�,適用于嚴苛的工作環(huán)��
  5. �(nèi)置ESD保護功能,增強抗干擾能力�
  6. 小型化TOLL封裝設計,便于PCB布局與散熱管��

應用

該芯片廣泛應用于以下領域�
  1. 開關電源(SMPS)中的主開關管或同步整流管�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率元��
  3. 電動工具、機器人及工�(yè)自動化設備中的電機驅(qū)��
  4. 新能源汽車中的逆變器和車載充電��
  5. 各種需要高效能功率開關的應用場��

替代型號

IPW50R1K8CEBA02ATMA1, IPB50N06S4L12ATMA1

ipd50n06s4l12atma2推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ipd50n06s4l12atma2參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�1,950�(xiàn)�
  • 價格1 : �9.06000剪切帶(CT�2,500 : �4.01566卷帶(TR�
  • 系列Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�60 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)50A(Tc�
  • �(qū)動電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)12 毫歐 @ 50A�10V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)2.2V @ 20μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)40 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±16V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)2890 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)50W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應商器件封�PG-TO252-3-11
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線 + 接片�,SC-63