IPD50P03P4L-11 是一款基于硅技術的功率 MOSFET,采用先進的溝槽式工藝制�。該器件適用于高頻開關應用和高效能轉換電�,能夠提供較低的導通電阻和快速的開關性能。其封裝形式� LFPAK8 封裝(也稱為 SO8),具有低熱阻特性和出色的電氣性能,非常適合在消費電子、通信設備以及工業(yè)控制等領域中使用�
該功� MOSFET 主要針對同步整流、DC-DC 轉換�、負載開關以及其他需要高效率和小尺寸解決方案的應用而設��
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�50A
導通電阻(典型值)�0.65mΩ
柵極電荷(典型值)�25nC
總電容(輸入電容):960pF
反向恢復時間:無(因為是 MOSFET�
工作結溫范圍�-55� � +175�
IPD50P03P4L-11 具有以下顯著特點�
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,可減少導通損耗并提高整體效率�
2. 快速開關能�,適合高頻操作環(huán)��
3. 高電流處理能�,滿足大功率需��
4. 緊湊型封裝設計,節(jié)� PCB 布局空間�
5. 出色的熱性能表現(xiàn),確保長期穩(wěn)定運��
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且可靠�
此外,由于采用了溝槽� MOSFET 技術,這款器件能夠在更小的芯片面積內實�(xiàn)更低的導通電�,同時保持較低的開關損耗�
IPD50P03P4L-11 廣泛應用于以下場景:
1. 同步整流電路中的主開關或�(xù)流二極管替代方案�
2. DC-DC 轉換器的核心功率級組��
3. 電機驅動器中的功率開關元��
4. 多種負載開關應用場景,例� USB-PD 和其他便攜式設備�
5. 通信電源模塊,如服務器和�(wǎng)絡設備中的供電部��
6. 工業(yè)自動化設備中的高效能轉換電路�
這些應用領域共同特點是需要高性能、高效率以及緊湊的設�,而這正� IPD50P03P4L-11 的強項所在�
IPB50P03P4L-02, IPP50P03P4L-02