時(shí)間：2025/5/23 11:40:33
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IPD50P04P413ATMA1是一款由Infineon Technologies生產(chǎn)的MOSFET功率晶體管。該器件采用先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和工業(yè)控制等領(lǐng)域。此型號(hào)的MOSFET采用了TO-263封裝形式，適合表面貼裝技術(shù)(SMT)，能夠提供卓越的電氣性能和散熱特性。
該MOSFET的主要特點(diǎn)是其P溝道設(shè)計(jì)，使其適用于各種需要高壓側(cè)開關(guān)的應(yīng)用場景，例如負(fù)載切換、電池管理系統(tǒng)(BMS)以及汽車電子等。同時(shí)，IPD50P04P413ATMA1具備出色的靜電防護(hù)能力(ESD)，以提高系統(tǒng)在惡劣環(huán)境下的可靠性。
類型：P溝道 MOSFET
最大漏源電壓(VDS)：40V
最大柵源電壓(VGS)：±20V
連續(xù)漏極電流(ID)：50A
導(dǎo)通電阻(RDS(on))：3.5mΩ
總功耗(Ptot)：187W
工作溫度范圍(TA)：-55°C 至 +175°C
封裝形式：TO-263
IPD50P04P413ATMA1具有以下顯著特性：
1. 極低的導(dǎo)通電阻RDS(on)，有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高效率。
2. 高電流承載能力，可支持高達(dá)50A的連續(xù)漏極電流，滿足大功率應(yīng)用需求。
3. 快速開關(guān)特性，降低開關(guān)損耗并提高高頻操作性能。
4. 高度可靠的ESD保護(hù)機(jī)制，增強(qiáng)器件在復(fù)雜電磁環(huán)境中的穩(wěn)定性。
5. 采用TO-263封裝，具備良好的熱管理和機(jī)械強(qiáng)度。
6. 廣泛的工作溫度范圍(-55°C至+175°C)，適應(yīng)極端氣候條件下的使用需求。
7. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且安全。
這款MOSFET適用于多種領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源(SMPS)和DC-DC轉(zhuǎn)換器中的開關(guān)元件。
2. 汽車電子系統(tǒng)中的負(fù)載開關(guān)和繼電器替代方案。
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制。
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護(hù)電路。
5. 各類消費(fèi)電子產(chǎn)品中的電源管理模塊。
6. 高效節(jié)能的LED驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)。
由于其強(qiáng)大的電流處理能力和低導(dǎo)通電阻，IPD50P04P413ATMA1特別適合要求高效能和高可靠性的應(yīng)用場合。
IPB50P04P4L2TMA1, IPP50P04P4L2TMA1
